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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K6P60W-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: K6P60W-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 700mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介

K6P60W-VB 是一款高性能 N 溝道 MOSFET,采用 TO252 封裝,具備 650V 的高壓能力和 7A 的最大漏極電流。此款器件采用 SJ_Multi-EPI 技術(shù),具有超結(jié)結(jié)構(gòu),能夠在高壓環(huán)境下實現(xiàn)低導(dǎo)通電阻和高效率。憑借其 700mΩ 的低導(dǎo)通電阻(@ VGS=10V),它適合在高壓功率轉(zhuǎn)換和開關(guān)電源中應(yīng)用。

### 詳細參數(shù)說明

- **封裝類型**:TO252
- **極性配置**:單 N 溝道
- **最大漏源電壓 (VDS)**:650V
- **柵源電壓 (VGS)**:±30V
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:700mΩ(@ VGS=10V)
- **漏極電流 (ID)**:7A
- **技術(shù)**:SJ_Multi-EPI(超結(jié)多重外延技術(shù))

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊

1. **開關(guān)電源 (SMPS)**:K6P60W-VB 非常適合用于高效開關(guān)模式電源(SMPS)中的高壓轉(zhuǎn)換模塊。其 650V 的耐壓能力能夠應(yīng)對輸入電壓較高的應(yīng)用場景,確保電源在高壓操作下仍具備較低的導(dǎo)通損耗。

2. **電動汽車 (EV) 充電樁**:該 MOSFET 能夠在 EV 充電器中執(zhí)行功率因數(shù)校正 (PFC) 和高壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換任務(wù),提供穩(wěn)定的電力轉(zhuǎn)換和效率優(yōu)化。

3. **工業(yè)電機驅(qū)動**:在工業(yè)應(yīng)用中,K6P60W-VB 可以用于高壓電機驅(qū)動器,尤其是在對電源效率和系統(tǒng)耐用性要求較高的場景中,提供快速切換和低損耗性能。

4. **照明控制器**:對于 LED 照明和高壓照明控制器,K6P60W-VB 可以提供高效的功率調(diào)節(jié)功能,確保燈具在較高電壓下穩(wěn)定工作。

 

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