--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO252
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 500mΩ@VGS=10V
- ID 9A
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
K7P60W5-VB 是一款高性能 N 溝道 MOSFET,采用 TO252 封裝,具有 650V 的最大漏源電壓和 9A 的最大漏極電流。這款 MOSFET 采用 SJ_Multi-EPI 超結(jié)多重外延技術(shù),旨在在高壓環(huán)境下提供卓越的性能。其 500mΩ 的低導(dǎo)通電阻(@ VGS=10V)使其非常適合用于高效率的電源管理和開(kāi)關(guān)應(yīng)用。K7P60W5-VB 的設(shè)計(jì)確保了優(yōu)越的熱性能和電氣穩(wěn)定性,使其在復(fù)雜的電力電子系統(tǒng)中表現(xiàn)出色。
### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **封裝類型**:TO252
- **極性配置**:?jiǎn)?N 溝道
- **最大漏源電壓 (VDS)**:650V
- **柵源電壓 (VGS)**:±30V
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:500mΩ(@ VGS=10V)
- **漏極電流 (ID)**:9A
- **技術(shù)**:SJ_Multi-EPI(超結(jié)多重外延技術(shù))
### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊
1. **高壓開(kāi)關(guān)電源 (SMPS)**:K7P60W5-VB 非常適合用于高壓開(kāi)關(guān)電源中,特別是在需要高效率和高功率密度的應(yīng)用場(chǎng)合。其高達(dá) 650V 的漏源電壓和低導(dǎo)通電阻能夠有效降低開(kāi)關(guān)損耗,提高系統(tǒng)的整體能效。
2. **電動(dòng)汽車(chē) (EV) 電源管理**:在電動(dòng)汽車(chē)的電源管理系統(tǒng)中,K7P60W5-VB 可以用于高壓直流-直流轉(zhuǎn)換器,確保電能高效傳輸并降低系統(tǒng)熱損失,從而提高電動(dòng)汽車(chē)的續(xù)航能力。
3. **工業(yè)控制系統(tǒng)**:在工業(yè)應(yīng)用中,該 MOSFET 可以用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)和自動(dòng)化控制系統(tǒng)。憑借其穩(wěn)定性和高電流承載能力,K7P60W5-VB 能夠在惡劣環(huán)境下持續(xù)提供可靠的性能。
4. **LED 照明驅(qū)動(dòng)**:K7P60W5-VB 也適合用于 LED 照明控制器,提供高效的電流管理和調(diào)光能力,確保 LED 燈具在高壓條件下工作穩(wěn)定、亮度一致。
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