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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K801-Z-T2-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號(hào): K801-Z-T2-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 7mΩ@VGS=10V
  • ID 70A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### K801-Z-T2-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介
K801-Z-T2-VB 是一款高效能單N溝道MOSFET,專為要求低導(dǎo)通損耗和高電流能力的應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該器件采用TO252封裝,具備30V的漏源電壓(VDS)和±20V的柵極電壓(VGS),適合在較低電壓下工作。其閾值電壓(Vth)為1.7V,確保在較小的柵極電壓下就能迅速導(dǎo)通。該MOSFET在VGS為10V時(shí)的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))僅為7mΩ,而在VGS為4.5V時(shí)為9mΩ,這使得它在功率密集型應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異,最大漏極電流(ID)可達(dá)到70A。K801-Z-T2-VB的溝槽技術(shù)(Trench)設(shè)計(jì)為多種電源管理和驅(qū)動(dòng)應(yīng)用提供了可靠的解決方案。

### K801-Z-T2-VB 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝**:TO252
- **配置**:單N溝道(Single-N-Channel)
- **漏源電壓 (VDS)**:30V
- **柵極電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 9mΩ @ VGS = 4.5V
 - 7mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**:70A
- **技術(shù)**:溝槽技術(shù) (Trench)
- **工作溫度范圍**:-55°C ~ 150°C

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊舉例
1. **DC-DC轉(zhuǎn)換器**:K801-Z-T2-VB 在DC-DC轉(zhuǎn)換器中可作為開關(guān)元件使用,憑借其低導(dǎo)通電阻和高電流能力,能夠顯著提高轉(zhuǎn)換效率,降低功率損耗,適合用于高效電源設(shè)計(jì)。

2. **電源管理**:該MOSFET非常適合于各類電源管理應(yīng)用,包括電池管理系統(tǒng)和電源調(diào)節(jié)器,能夠高效控制電源的輸出電壓和電流,確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。

3. **電動(dòng)工具**:在電動(dòng)工具中,K801-Z-T2-VB 可用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制電路,憑借其高電流能力和低導(dǎo)通損耗,有助于提升電動(dòng)工具的功率和續(xù)航能力。

4. **電動(dòng)汽車充電器**:在電動(dòng)汽車充電器中,該MOSFET的優(yōu)良性能可以支持高效的功率轉(zhuǎn)換和管理,確保充電過程中的能量損失最小化,提供快速、安全的充電解決方案。

K801-Z-T2-VB 的卓越性能和廣泛適用性使其成為現(xiàn)代電子設(shè)計(jì)中的一個(gè)理想選擇,能夠滿足各種電源和驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的需求。

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