--- 產品參數(shù) ---
- Package TO252
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 1000mΩ@VGS=10V
- ID 5A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 一、KF5N53DS-VB MOSFET 產品簡介
KF5N53DS-VB 是一款高電壓單 N 溝道 MOSFET,采用 TO252 封裝,專為高壓應用設計。它具有 650V 的漏源電壓 (VDS),可支持 ±30V 的柵源電壓 (VGS),適合處理高電壓和中等電流的場合。此款 MOSFET 采用 SJ_Multi-EPI 技術,具有更高的擊穿電壓和更好的熱性能,能夠在多種電力電子設備中實現(xiàn)高效和可靠的開關性能。KF5N53DS-VB 的導通電阻為 1000mΩ@VGS=10V,使其在高電壓環(huán)境下仍具備較低的功耗,提升了電路效率,廣泛應用于開關電源、電機驅動和電力轉換器等領域。
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### 二、KF5N53DS-VB MOSFET 詳細參數(shù)說明
| **參數(shù)** | **描述** |
|-----------------------|------------------------------------|
| **封裝類型** | TO252 |
| **溝道配置** | 單 N 溝道 |
| **漏源電壓 (VDS)** | 650V |
| **柵源電壓 (VGS)** | ±30V |
| **開啟電壓 (Vth)** | 3.5V |
| **導通電阻 (RDS(ON))**| 1000mΩ@VGS=10V |
| **漏極電流 (ID)** | 5A |
| **技術類型** | SJ_Multi-EPI |
| **最大功耗** | 40W |
| **工作溫度范圍** | -55°C 至 150°C |
KF5N53DS-VB 的設計旨在確保在高電壓環(huán)境下具有卓越的性能,適合于多種電力電子應用。其較低的導通電阻使得在高電壓和中等電流的操作中更為高效,能夠有效降低熱量產生。
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### 三、KF5N53DS-VB MOSFET 的應用領域與模塊
1. **開關電源 (SMPS)**:
KF5N53DS-VB 適用于開關電源模塊,尤其是在需要高電壓輸出的場合。其650V的漏源電壓能力能夠保證高效的電能轉換和穩(wěn)定的輸出特性,從而滿足多種應用場景的需求。
2. **電機驅動**:
此款 MOSFET 也非常適合用于電機驅動器,能夠有效控制電機的啟動、運行和停止。KF5N53DS-VB 的高耐壓和中等電流能力使其能夠在工業(yè)應用中處理各種電機負載,提升系統(tǒng)的整體性能。
3. **電力轉換器 (Power Converters)**:
在電力轉換器中,KF5N53DS-VB 能夠用于 AC-DC 和 DC-DC 轉換,尤其在需要高電壓和高效率的場合表現(xiàn)突出。其可靠的性能確保在高壓環(huán)境下的電力傳輸穩(wěn)定性。
4. **LED 驅動電路**:
KF5N53DS-VB 也可應用于 LED 驅動電路,通過其高電壓和高效性能,支持各種 LED 應用中對于高效能和長壽命的需求,尤其適合高亮度 LED 照明方案。
KF5N53DS-VB 的廣泛應用領域使其在高壓電子設備中成為理想的選擇,能夠滿足各類模塊的高效能和穩(wěn)定性需求。
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