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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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KF5N53DS-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管

型號: KF5N53DS-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1000mΩ@VGS=10V
  • ID 5A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 一、KF5N53DS-VB MOSFET 產品簡介

KF5N53DS-VB 是一款高電壓單 N 溝道 MOSFET,采用 TO252 封裝,專為高壓應用設計。它具有 650V 的漏源電壓 (VDS),可支持 ±30V 的柵源電壓 (VGS),適合處理高電壓和中等電流的場合。此款 MOSFET 采用 SJ_Multi-EPI 技術,具有更高的擊穿電壓和更好的熱性能,能夠在多種電力電子設備中實現(xiàn)高效和可靠的開關性能。KF5N53DS-VB 的導通電阻為 1000mΩ@VGS=10V,使其在高電壓環(huán)境下仍具備較低的功耗,提升了電路效率,廣泛應用于開關電源、電機驅動和電力轉換器等領域。

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### 二、KF5N53DS-VB MOSFET 詳細參數(shù)說明

| **參數(shù)**              | **描述**                           |
|-----------------------|------------------------------------|
| **封裝類型**          | TO252                              |
| **溝道配置**          | 單 N 溝道                         |
| **漏源電壓 (VDS)**    | 650V                              |
| **柵源電壓 (VGS)**    | ±30V                              |
| **開啟電壓 (Vth)**    | 3.5V                              |
| **導通電阻 (RDS(ON))**| 1000mΩ@VGS=10V                    |
| **漏極電流 (ID)**     | 5A                                |
| **技術類型**          | SJ_Multi-EPI                       |
| **最大功耗**          | 40W                               |
| **工作溫度范圍**      | -55°C 至 150°C                    |

KF5N53DS-VB 的設計旨在確保在高電壓環(huán)境下具有卓越的性能,適合于多種電力電子應用。其較低的導通電阻使得在高電壓和中等電流的操作中更為高效,能夠有效降低熱量產生。

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### 三、KF5N53DS-VB MOSFET 的應用領域與模塊

1. **開關電源 (SMPS)**:
  KF5N53DS-VB 適用于開關電源模塊,尤其是在需要高電壓輸出的場合。其650V的漏源電壓能力能夠保證高效的電能轉換和穩(wěn)定的輸出特性,從而滿足多種應用場景的需求。

2. **電機驅動**:
  此款 MOSFET 也非常適合用于電機驅動器,能夠有效控制電機的啟動、運行和停止。KF5N53DS-VB 的高耐壓和中等電流能力使其能夠在工業(yè)應用中處理各種電機負載,提升系統(tǒng)的整體性能。

3. **電力轉換器 (Power Converters)**:
  在電力轉換器中,KF5N53DS-VB 能夠用于 AC-DC 和 DC-DC 轉換,尤其在需要高電壓和高效率的場合表現(xiàn)突出。其可靠的性能確保在高壓環(huán)境下的電力傳輸穩(wěn)定性。

4. **LED 驅動電路**:
  KF5N53DS-VB 也可應用于 LED 驅動電路,通過其高電壓和高效性能,支持各種 LED 應用中對于高效能和長壽命的需求,尤其適合高亮度 LED 照明方案。

KF5N53DS-VB 的廣泛應用領域使其在高壓電子設備中成為理想的選擇,能夠滿足各類模塊的高效能和穩(wěn)定性需求。

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