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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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KIA100N03-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管

型號: KIA100N03-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 2mΩ@VGS=10V
  • ID 100A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### KIA100N03-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介

KIA100N03-VB是一款采用Trench技術的單極N通道MOSFET,設計用于低電壓和高電流的應用場景。該器件封裝在TO-252封裝中,具有出色的導電性能和低導通電阻,特別適合高效的電流開關應用。KIA100N03-VB的漏源電壓(VDS)為30V,柵源電壓(VGS)為±20V,閾值電壓(Vth)為1.7V。其在VGS=4.5V時的導通電阻(RDS(ON))為3mΩ,而在VGS=10V時為2mΩ。該器件的連續(xù)漏電流(ID)可達100A,適合高電流、高頻率的開關操作,非常適用于電源管理和低壓電路的應用。

### 詳細參數(shù)說明

- **封裝**: TO-252,適用于空間有限且需要良好散熱的應用。
- **配置**: 單極N通道,適合電流開關和控制應用。
- **漏源電壓 (VDS)**: 30V,適用于低電壓電源管理和驅動應用。
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V,確保其在高柵極驅動電壓下的可靠運行。
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V,保證在低柵驅動電壓下也能可靠開啟。
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 在VGS=4.5V時為3mΩ,在VGS=10V時為2mΩ,具有超低導通電阻,適合高效的電流傳輸。
- **連續(xù)漏電流 (ID)**: 100A,適合高電流密度的應用場景。
- **技術**: Trench,提供低導通電阻和高效的功率處理能力。

### 應用領域和模塊

1. **低壓電源管理**:  
  KIA100N03-VB MOSFET非常適合低壓電源轉換器、DC-DC轉換器和穩(wěn)壓器等應用。在這些應用中,該MOSFET能夠處理大電流負載,同時其低導通電阻確保了能效的最大化。其30V的漏源電壓適合12V或24V電源系統(tǒng)的管理。

2. **電動工具和小型電機驅動**:  
  由于其支持高達100A的漏電流,KIA100N03-VB MOSFET可用于驅動小型電動工具、無刷直流電動機(BLDC)和其他小型電機。在這些應用中,該MOSFET能夠提供高效的開關性能,確保電機啟動和運行時的功率穩(wěn)定性。

3. **電池保護電路**:  
  該MOSFET在電池管理系統(tǒng)(BMS)中表現(xiàn)出色,尤其是應用于低電壓大電流的鋰離子電池保護電路。它能夠有效控制大電流充放電,確保電池的安全性和壽命。

4. **汽車電子**:  
  KIA100N03-VB適用于汽車電子領域的低壓應用,如汽車照明控制、風扇電機驅動和其他低壓電力分配模塊。其高電流能力和低導通電阻使其非常適合汽車12V或24V系統(tǒng)中的電源和控制應用。

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