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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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LR130TR-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號(hào): LR130TR-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.8V
  • RDS(ON) 114mΩ@VGS=10V
  • ID 15A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 1. 產(chǎn)品簡介:

LR130TR-VB 是一款高效的 **N 溝道功率 MOSFET**,采用 **TO252 封裝**,專為需要高電壓和高電流的應(yīng)用設(shè)計(jì)。其最大漏源電壓 (VDS) 為 **100V**,支持高達(dá) **±20V** 的柵源電壓 (VGS)。具有 **1.8V 的柵極閾值電壓 (Vth)**,確保在較低的柵極驅(qū)動(dòng)電壓下實(shí)現(xiàn)快速的導(dǎo)通。LR130TR-VB 的導(dǎo)通電阻為 **114mΩ @ VGS=10V**,使其在工作時(shí)具有優(yōu)越的電能效率,適合于各種功率開關(guān)和電源管理系統(tǒng)。

### 2. 詳細(xì)參數(shù)說明:

- **封裝類型**:TO252
- **配置**:單 N 溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:100V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**:1.8V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 114mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**:15A
- **技術(shù)**:Trench 技術(shù)
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 175°C
- **最大功耗 (Ptot)**:依賴于散熱設(shè)計(jì)與應(yīng)用場景(TO252 封裝下的散熱管理)

### 3. 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例:

LR130TR-VB MOSFET 廣泛應(yīng)用于各種 **電力電子領(lǐng)域**,尤其是在高電壓和高電流需求的場合。例如:

- **開關(guān)電源(SMPS)**:在開關(guān)電源和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中,LR130TR-VB 能夠高效地處理電能轉(zhuǎn)換,減少能量損失,從而提高系統(tǒng)的整體效率。

- **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**:該 MOSFET 在電動(dòng)機(jī)控制領(lǐng)域表現(xiàn)良好,適用于 BLDC 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、步進(jìn)電機(jī)控制等應(yīng)用,能夠有效管理電機(jī)的啟動(dòng)和運(yùn)行,確保高效的功率傳輸。

- **逆變器**:LR130TR-VB 適合用于光伏和風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)中的逆變器,能夠高效地將直流電轉(zhuǎn)化為交流電,并提供穩(wěn)定的電能輸出。

- **電池管理系統(tǒng)**:該器件在電池管理和保護(hù)電路中具有出色的表現(xiàn),可以處理高電流,確保電池組的安全與高效充放電。

通過這些特點(diǎn),LR130TR-VB 在需要高效率、低功耗及高電流的應(yīng)用場合中,能夠提供卓越的性能和可靠性。

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