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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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LR230A-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): LR230A-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 200V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 245mΩ@VGS=10V
  • ID 10A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**產(chǎn)品簡(jiǎn)介**  
LR230A-VB 是一款高耐壓的單N溝道功率MOSFET,封裝為 TO252,專為高效電源管理和開(kāi)關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件的漏源電壓(VDS)為200V,柵源電壓(VGS)范圍為 ±20V,導(dǎo)通閾值電壓(Vth)為3V。在 VGS 為 10V 時(shí),導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為 245mΩ,最大漏極電流(ID)可達(dá)到 10A。采用先進(jìn)的溝槽(Trench)技術(shù),該 MOSFET 具備較低的導(dǎo)通損耗和良好的熱性能,非常適合在高壓應(yīng)用場(chǎng)合中使用。

**詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明**  
1. **封裝類型**:TO252  
2. **器件配置**:?jiǎn)蜰溝道  
3. **漏源電壓(VDS)**:200V  
4. **柵源電壓(VGS)**:±20V  
5. **導(dǎo)通閾值電壓(Vth)**:3V  
6. **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:245mΩ(在 VGS=10V 時(shí))  
7. **最大漏極電流(ID)**:10A  
8. **技術(shù)類型**:溝槽(Trench)技術(shù)  
9. **熱阻**:根據(jù)產(chǎn)品文檔提供的熱特性參數(shù)  
10. **開(kāi)關(guān)速度**:適用于高頻切換,具體參數(shù)取決于應(yīng)用電路設(shè)計(jì)  
11. **工作溫度范圍**:通常為-55°C至150°C,具體需參照產(chǎn)品規(guī)格書(shū)  

**應(yīng)用領(lǐng)域與模塊舉例**  
LR230A-VB MOSFET 適用于多種高壓電源管理和開(kāi)關(guān)應(yīng)用,常見(jiàn)的應(yīng)用場(chǎng)景包括:

1. **高壓開(kāi)關(guān)電源**:該 MOSFET 可用于高壓開(kāi)關(guān)電源(SMPS)設(shè)計(jì),尤其在工業(yè)電源和電源適配器中,具備高耐壓和低導(dǎo)通損耗的特性能夠提升整體系統(tǒng)的能效。  
2. **電動(dòng)汽車**:在電動(dòng)汽車(EV)的驅(qū)動(dòng)和控制系統(tǒng)中,該器件可用于高壓電源管理和電池管理,確保電池充放電過(guò)程的安全和高效。  
3. **逆變器**:LR230A-VB 適合用于光伏逆變器和風(fēng)能逆變器中,為可再生能源系統(tǒng)提供高效的電流轉(zhuǎn)換和管理。  
4. **電機(jī)控制**:在工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制系統(tǒng)中,該 MOSFET 能夠有效管理電機(jī)的電源供應(yīng),提升整體驅(qū)動(dòng)效率。  
5. **消費(fèi)電子**:在高壓消費(fèi)電子設(shè)備(如大功率LED照明和家用電器)中,該 MOSFET 可用于電源開(kāi)關(guān)和控制,提高系統(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換效率。

LR230A-VB MOSFET 的高耐壓和高效率特性使其在現(xiàn)代電子應(yīng)用中成為一種理想選擇。

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