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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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LR3802-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: LR3802-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 20V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 0.5~1.5V
  • RDS(ON) 4.5mΩ@VGS=4.5V
  • ID 100A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**產(chǎn)品簡介**  
LR3802-VB 是一款高性能的單N溝道功率MOSFET,封裝為 TO252,專為低壓高電流應(yīng)用設(shè)計。該器件的漏源電壓(VDS)為20V,柵源電壓(VGS)范圍為 ±20V,導(dǎo)通閾值電壓(Vth)為 0.5V 至 1.5V,具有極低的導(dǎo)通電阻(RDS(ON)),在 VGS 為 2.5V 時為6mΩ,而在 VGS 為 4.5V 時則降低至4.5mΩ。最大漏極電流(ID)可達(dá)到100A,采用先進(jìn)的溝槽(Trench)技術(shù),使其在高效能與熱管理方面表現(xiàn)優(yōu)越,適合各種高功率密度的電源管理應(yīng)用。

**詳細(xì)參數(shù)說明**  
1. **封裝類型**:TO252  
2. **器件配置**:單N溝道  
3. **漏源電壓(VDS)**:20V  
4. **柵源電壓(VGS)**:±20V  
5. **導(dǎo)通閾值電壓(Vth)**:0.5V至1.5V  
6. **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:  
  - 6mΩ(在 VGS=2.5V 時)  
  - 4.5mΩ(在 VGS=4.5V 時)  
7. **最大漏極電流(ID)**:100A  
8. **技術(shù)類型**:溝槽(Trench)技術(shù)  
9. **熱阻**:根據(jù)產(chǎn)品文檔提供的熱特性參數(shù)  
10. **開關(guān)速度**:適用于高頻切換,具體參數(shù)取決于應(yīng)用電路設(shè)計  
11. **工作溫度范圍**:通常為-55°C至150°C,具體需參照產(chǎn)品規(guī)格書  

**應(yīng)用領(lǐng)域與模塊舉例**  
LR3802-VB MOSFET 在多個低壓高電流應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異,常見的應(yīng)用領(lǐng)域包括:

1. **電源管理系統(tǒng)**:該 MOSFET 在開關(guān)電源(SMPS)和直流-直流轉(zhuǎn)換器(DC-DC converters)中應(yīng)用廣泛,尤其適合低電壓高電流的電源轉(zhuǎn)換,提高系統(tǒng)的整體能效與穩(wěn)定性。  
2. **電動工具**:在電動工具(如電鉆、鋸等)中,LR3802-VB 可用于電機(jī)控制和驅(qū)動電路,提供穩(wěn)定且高效的電流管理,延長電池使用時間。  
3. **電動汽車充電系統(tǒng)**:該器件在電動汽車的充電管理系統(tǒng)中也有應(yīng)用,可用于控制電池的充電過程,提高充電效率和安全性。  
4. **消費電子**:在高性能消費電子設(shè)備(如便攜式設(shè)備、游戲機(jī)和高功率LED照明)中,該 MOSFET 可用于電源開關(guān)和電流調(diào)節(jié),增強(qiáng)產(chǎn)品的能效。  
5. **自動化設(shè)備**:LR3802-VB 適合在工業(yè)自動化和機(jī)器人技術(shù)中應(yīng)用,作為電機(jī)驅(qū)動和控制模塊,能夠?qū)崿F(xiàn)快速的開關(guān)和高效的電流輸出。

憑借其卓越的性能和廣泛的應(yīng)用潛力,LR3802-VB MOSFET 成為現(xiàn)代電子設(shè)計中不可或缺的組件。

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