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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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LR7807ZC-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: LR7807ZC-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 7mΩ@VGS=10V
  • ID 70A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### LR7807ZC-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介

LR7807ZC-VB 是一款高效的單極N通道金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET),封裝采用TO252,專為中高電流和低功耗應(yīng)用設(shè)計(jì)。其漏源電壓(VDS)為30V,柵源電壓范圍為±20V,能夠滿足多種電源管理和轉(zhuǎn)換需求。LR7807ZC-VB 的開啟閾值電壓(Vth)為1.7V,允許在較低的柵電壓下迅速開啟,提高了開關(guān)效率。在柵電壓為4.5V時(shí),其導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為9mΩ,而在10V時(shí)降至7mΩ。這種低導(dǎo)通電阻特性使得LR7807ZC-VB 能夠支持高達(dá)70A的漏極電流,在高負(fù)載應(yīng)用中提供出色的性能并降低功耗。

### LR7807ZC-VB 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型**: TO252
- **極性配置**: 單N通道
- **漏源電壓 (VDS)**: 30V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **開啟閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 
 - 9mΩ @ VGS=4.5V
 - 7mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 70A
- **技術(shù)類型**: Trench技術(shù)
- **應(yīng)用溫度范圍**: 適應(yīng)廣泛的工作環(huán)境,具有良好的熱穩(wěn)定性。

### LR7807ZC-VB 的應(yīng)用領(lǐng)域及模塊

1. **電源管理系統(tǒng)**:LR7807ZC-VB 非常適合用于開關(guān)電源(SMPS)和DC-DC轉(zhuǎn)換器等電源管理應(yīng)用。這些應(yīng)用需要高效率和低功耗,LR7807ZC-VB 的低導(dǎo)通電阻能夠有效減少能量損失,提高系統(tǒng)效率。

2. **電動機(jī)驅(qū)動**:在電動機(jī)控制系統(tǒng)中,如無刷直流電機(jī)(BLDC)和步進(jìn)電機(jī),LR7807ZC-VB 的高電流能力和低導(dǎo)通電阻使其在高負(fù)載條件下表現(xiàn)出色,能夠提供穩(wěn)定和高效的驅(qū)動。

3. **汽車電子**:LR7807ZC-VB 適用于電動汽車和混合動力汽車的電池管理系統(tǒng)(BMS)、充電模塊以及動力傳輸系統(tǒng)。這種MOSFET 能夠在高電流和低電壓的環(huán)境下可靠工作,確保車輛的整體性能和安全性。

4. **消費(fèi)電子產(chǎn)品**:在手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦等消費(fèi)電子設(shè)備的電源模塊中,LR7807ZC-VB 可用于電源分配和充電器設(shè)計(jì)。其高效能和低發(fā)熱特性使其適合于小型化設(shè)計(jì)和高效電源解決方案。

LR7807ZC-VB 以其優(yōu)越的性能和靈活的應(yīng)用場景,成為電源管理和控制模塊中不可或缺的元件,廣泛應(yīng)用于各類電子設(shè)備和系統(tǒng)中。

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