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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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LR8113-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: LR8113-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 2mΩ@VGS=10V
  • ID 100A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介:

LR8113-VB 是一款高效能的單N溝道MOSFET,采用先進(jìn)的溝槽(Trench)技術(shù),封裝在TO252型封裝中。該器件的最大漏源電壓(VDS)為30V,適用于低電壓應(yīng)用,同時具備±20V的柵源電壓(VGS),支持寬范圍的驅(qū)動電壓操作。其開啟電壓(Vth)為1.7V,導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在柵源電壓為4.5V時為3mΩ,在10V時進(jìn)一步降低至2mΩ,能夠承載高達(dá)100A的漏極電流(ID)。該產(chǎn)品憑借其低導(dǎo)通損耗和高電流處理能力,廣泛應(yīng)用于高效電源管理和高負(fù)載電流控制領(lǐng)域。

### 詳細(xì)參數(shù)說明:

- **封裝類型**: TO252
- **極性**: N溝道
- **最大漏源電壓 (VDS)**: 30V
- **最大柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **開啟電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 3mΩ @ VGS = 4.5V
 - 2mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 100A
- **技術(shù)**: 溝槽(Trench)

### 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊:

1. **高效DC-DC轉(zhuǎn)換器**:LR8113-VB 的低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力使其非常適用于DC-DC電源轉(zhuǎn)換器,在消費電子和通信設(shè)備中,能夠提升電源效率,降低功耗,延長設(shè)備的電池續(xù)航時間。

2. **汽車電源管理**:由于其高電流承載能力,LR8113-VB 非常適合電動汽車中的電池管理和驅(qū)動系統(tǒng),能夠有效管理電池的充放電過程,并驅(qū)動高效的電動機。

3. **LED驅(qū)動電路**:該MOSFET適用于高功率LED驅(qū)動,能夠在保持低導(dǎo)通電阻的同時提供高電流輸出,確保照明設(shè)備在不同條件下具有穩(wěn)定的亮度和高效能。

4. **工業(yè)電源模塊**:在工業(yè)領(lǐng)域的電源模塊中,LR8113-VB 能夠作為開關(guān)設(shè)備,在高負(fù)載應(yīng)用中提供穩(wěn)定的功率輸出,并提升整體系統(tǒng)的能效,降低熱損耗。

5. **消費類電子產(chǎn)品**:該器件也適用于智能家電、手持設(shè)備等消費類電子產(chǎn)品中,作為功率開關(guān)使用,確保高效的電源管理,從而提升產(chǎn)品的運行效率與使用體驗。

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