--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO252
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 30V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 2mΩ@VGS=10V
- ID 100A
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### LR8711C-VB產(chǎn)品簡(jiǎn)介
LR8711C-VB是一款采用TO252封裝的單N溝道MOSFET,具有高性能的特性,專(zhuān)為高效能功率管理和開(kāi)關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)。該MOSFET支持高達(dá)30V的漏源電壓(VDS)和±20V的柵源電壓(VGS)。憑借其1.7V的柵極閾值電壓(Vth)和極低的導(dǎo)通電阻(RDS(ON)),在柵極電壓為4.5V時(shí)為3mΩ,柵極電壓為10V時(shí)為2mΩ,最大連續(xù)漏極電流可達(dá)100A,極大提升了系統(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換效率。該產(chǎn)品基于Trench(溝槽)技術(shù),能夠提供卓越的導(dǎo)通特性和低開(kāi)關(guān)損耗,適合多種高電流應(yīng)用。
### LR8711C-VB的詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
1. **封裝類(lèi)型**:TO252
2. **溝道配置**:?jiǎn)蜰溝道
3. **漏源電壓 (VDS)**:30V
4. **柵源電壓 (VGS)**:±20V
5. **柵極閾值電壓 (Vth)**:1.7V
6. **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 3mΩ @ VGS = 4.5V
- 2mΩ @ VGS = 10V
7. **最大漏極電流 (ID)**:100A
8. **技術(shù)類(lèi)型**:Trench(溝槽技術(shù))
### 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊示例
1. **汽車(chē)電子**:LR8711C-VB由于其高電流處理能力和低導(dǎo)通損耗,非常適用于汽車(chē)電氣系統(tǒng)中的功率管理模塊,如電機(jī)驅(qū)動(dòng)、蓄電池管理系統(tǒng)和DC-DC轉(zhuǎn)換器等。這些應(yīng)用需要低電阻、可靠的開(kāi)關(guān)特性,以提供更高的能源效率和耐久性。
2. **消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品**:該MOSFET可用于高效能的便攜設(shè)備電源管理,例如筆記本電腦、平板電腦和智能手機(jī)中的電源調(diào)節(jié)模塊。其低導(dǎo)通電阻能減少熱耗散,提高能效,進(jìn)而延長(zhǎng)設(shè)備電池壽命。
3. **工業(yè)電源轉(zhuǎn)換**:在工業(yè)設(shè)備中的開(kāi)關(guān)電源和電機(jī)控制系統(tǒng)中,LR8711C-VB的高功率處理能力和快速切換特性非常適合。該器件可以用于工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、功率因數(shù)校正電路(PFC)和不間斷電源(UPS)等場(chǎng)景。
4. **數(shù)據(jù)中心和通信設(shè)備**:數(shù)據(jù)中心的服務(wù)器和通信基礎(chǔ)設(shè)施需要高效的電源管理解決方案。LR8711C-VB的低開(kāi)關(guān)損耗和高效能使其在這些高性能系統(tǒng)中成為理想的選擇,幫助降低功耗和系統(tǒng)運(yùn)營(yíng)成本。
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