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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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LSG02N65-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: LSG02N65-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 4300mΩ@VGS=10V
  • ID 2A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### LSG02N65-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介

LSG02N65-VB 是一款專為高電壓應(yīng)用設(shè)計的單N溝道MOSFET,采用TO252封裝,具備優(yōu)異的性能和穩(wěn)定性。其漏源極電壓(VDS)高達(dá)650V,適合在高壓環(huán)境下使用。該器件的柵極電壓(VGS)范圍為±30V,具備良好的安全性和可靠性。由于采用了平面(Plannar)技術(shù),LSG02N65-VB 的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為3440mΩ(@ VGS=4.5V)和4300mΩ(@ VGS=10V),雖然導(dǎo)通電阻較高,但在特定應(yīng)用中依然具備良好的表現(xiàn)。此MOSFET 的額定漏極電流為2A,使其成為各種高壓電氣設(shè)備中的理想選擇。

### LSG02N65-VB MOSFET 詳細(xì)參數(shù)說明

| 參數(shù)名稱           | 數(shù)值                            |
|--------------------|---------------------------------|
| 封裝類型           | TO252                           |
| MOSFET配置         | 單N溝道                         |
| 漏源極電壓 (VDS)   | 650V                            |
| 柵極電壓 (VGS)     | ±30V                            |
| 閾值電壓 (Vth)     | 3.5V                            |
| 導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) | 3440mΩ @ VGS = 4.5V            |
| 導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) | 4300mΩ @ VGS = 10V             |
| 連續(xù)漏極電流 (ID)  | 2A                              |
| 技術(shù)               | Plannar                        |

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **開關(guān)電源(SMPS)**  
  LSG02N65-VB 適用于開關(guān)電源設(shè)計,能夠在高壓條件下高效工作,適合需要高電壓和低功耗的電源管理系統(tǒng)。其高耐壓特性使其能夠有效應(yīng)對電源轉(zhuǎn)換過程中的高電壓沖擊。

2. **電機(jī)驅(qū)動控制**  
  在電動機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)中,LSG02N65-VB 可用于控制低功率電動機(jī)的開關(guān)和調(diào)速,特別是在小型家電和消費(fèi)電子產(chǎn)品中,能夠?qū)崿F(xiàn)平穩(wěn)的電動機(jī)啟動和停止。

3. **照明系統(tǒng)**  
  LSG02N65-VB 可應(yīng)用于LED照明系統(tǒng)中的開關(guān)控制,適合高壓LED驅(qū)動,能夠保證在高電壓環(huán)境下的安全可靠工作,提升照明產(chǎn)品的性能。

4. **高壓繼電器和開關(guān)**  
  在高壓繼電器和開關(guān)應(yīng)用中,該MOSFET 可用于控制和切換電流,適合電氣系統(tǒng)中的高壓開關(guān)和保護(hù)電路,確保安全穩(wěn)定的電流管理。

綜上所述,LSG02N65-VB 在高壓電源、開關(guān)控制和電動機(jī)驅(qū)動等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用,展示了其在電氣設(shè)備中的重要性與可靠性。

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