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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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LSG11N65-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: LSG11N65-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 370mΩ@VGS=10V
  • ID 11A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、LSG11N65-VB 產(chǎn)品簡介

LSG11N65-VB是一款高性能單N溝道MOSFET,專為高壓應(yīng)用設(shè)計,采用TO252封裝,提供650V的最大漏源電壓(VDS),適合于多種工業(yè)和消費電子領(lǐng)域的應(yīng)用。該器件具有11A的最大漏極電流(ID),在VGS為10V時,其導通電阻(RDS(ON))為370mΩ,確保了高效的開關(guān)性能和較低的功耗。使用SJ_Multi-EPI技術(shù)制造,LSG11N65-VB在熱性能和開關(guān)速度方面表現(xiàn)優(yōu)異,使其成為電源管理、驅(qū)動和控制系統(tǒng)的理想選擇。

### 二、LSG11N65-VB 詳細參數(shù)說明

- **器件類型**: N溝道MOSFET
- **封裝類型**: TO252
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 650V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 370mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 11A
- **技術(shù)類型**: SJ_Multi-EPI
- **最大功耗 (Ptot)**: 65W
- **結(jié)溫范圍 (Tj)**: -55°C 至 +150°C

### 三、適用領(lǐng)域和模塊說明

1. **電源轉(zhuǎn)換器**
  - LSG11N65-VB在開關(guān)電源(SMPS)設(shè)計中表現(xiàn)卓越,適合高電壓和中等電流的應(yīng)用。它可以高效控制電壓和電流,適用于各種電源適配器和充電器,提升能效并減少功耗。

2. **電動機驅(qū)動**
  - 該MOSFET可用于電動機控制,特別是直流電機和步進電機的驅(qū)動。其650V的工作電壓適合高壓電機驅(qū)動,能夠提供穩(wěn)定的電流輸出,實現(xiàn)高效的電機控制。

3. **照明控制**
  - LSG11N65-VB廣泛應(yīng)用于LED照明和燈具的控制模塊,能夠有效管理LED的驅(qū)動電流,確保照明設(shè)備的穩(wěn)定性和效率,適合家庭和商業(yè)照明系統(tǒng)。

4. **逆變器與可再生能源**
  - 該器件在太陽能逆變器和風力發(fā)電系統(tǒng)中具有重要應(yīng)用,能夠確保電能的高效轉(zhuǎn)化和管理,是可再生能源領(lǐng)域中的理想選擇。

5. **電氣控制系統(tǒng)**
  - LSG11N65-VB也適用于各種電氣控制裝置,如繼電器和開關(guān)電路,能夠在高壓環(huán)境下提供可靠的性能,確保設(shè)備的安全和穩(wěn)定運行。

通過其優(yōu)異的性能和廣泛的適用性,LSG11N65-VB是高壓、小電流應(yīng)用的理想選擇,能夠滿足多種工業(yè)和消費電子領(lǐng)域的需求。

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