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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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LSG65R760GT-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): LSG65R760GT-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 700mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

**LSG65R760GT-VB** 是一款高效能的單N通道 MOSFET,采用 TO252 封裝,專為高電壓應(yīng)用設(shè)計(jì)。其額定漏源電壓 (VDS) 為 650V,最大柵源電壓 (VGS) 可達(dá)到 ±30V。該 MOSFET 具備出色的導(dǎo)通電阻,RDS(ON) 在 10V 柵壓下為 700mΩ,確保在高電流下的高效能表現(xiàn),最大持續(xù)電流 (ID) 達(dá)到 7A。此器件采用先進(jìn)的 SJ_Multi-EPI 技術(shù),具備良好的熱穩(wěn)定性和開(kāi)關(guān)性能,廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換器、逆變器及其他高功率電子設(shè)備中。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

| 參數(shù)                       | 規(guī)格                  |
|--------------------------|---------------------|
| **型號(hào)**                 | LSG65R760GT-VB      |
| **封裝類型**             | TO252               |
| **配置**                 | 單N通道              |
| **漏源電壓 (VDS)**       | 650V                |
| **柵源電壓 (VGS)**       | ±30V                |
| **閾值電壓 (Vth)**       | 3.5V                |
| **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**    | 700mΩ(@VGS=10V)   |
| **最大持續(xù)電流 (ID)**     | 7A                  |
| **技術(shù)**                 | SJ_Multi-EPI        |

### 適用領(lǐng)域和模塊示例

**1. 電源管理:**
  - **應(yīng)用示例**:在開(kāi)關(guān)電源 (SMPS) 中,LSG65R760GT-VB 可用作主開(kāi)關(guān)管,提升能效,減少損耗。
  - **模塊類型**:DC-DC 轉(zhuǎn)換器、AC-DC 適配器。

**2. 逆變器:**
  - **應(yīng)用示例**:在太陽(yáng)能逆變器中,LSG65R760GT-VB 能夠?qū)崿F(xiàn)高效的直流到交流轉(zhuǎn)換,優(yōu)化系統(tǒng)整體效率。
  - **模塊類型**:光伏逆變器、風(fēng)力發(fā)電逆變器。

**3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng):**
  - **應(yīng)用示例**:可用于電機(jī)控制電路中,作為開(kāi)關(guān)管提高開(kāi)關(guān)速度和效能。
  - **模塊類型**:電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、變頻器。

**4. 汽車(chē)電子:**
  - **應(yīng)用示例**:在電動(dòng)汽車(chē)的電源管理系統(tǒng)中,作為功率開(kāi)關(guān)提升電能傳輸效率。
  - **模塊類型**:電池管理系統(tǒng) (BMS)、充電器。

通過(guò)這些應(yīng)用示例,可以看出 LSG65R760GT-VB 的廣泛適用性和高性能,適合于各類高功率、高電壓的電子設(shè)備和系統(tǒng)中。

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