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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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MDD1752RH-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: MDD1752RH-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 40V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 2.5V
  • RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
  • ID 85A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### MDD1752RH-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介

MDD1752RH-VB 是一款采用 TO252 封裝的高性能單 N 溝道 MOSFET,具有卓越的導(dǎo)通電阻和電流處理能力。該器件具有 40V 的最大漏源電壓 (VDS),并支持 ±20V 的柵源電壓 (VGS) 范圍,適用于廣泛的電源管理和高效開關(guān)應(yīng)用。其極低的導(dǎo)通電阻(VGS 為 4.5V 時為 6mΩ,VGS 為 10V 時為 5mΩ),保證了極低的功耗和高效能,同時可支持高達(dá) 85A 的最大漏極電流 (ID),使其非常適合大電流應(yīng)用。采用先進(jìn)的 Trench 技術(shù),進(jìn)一步提升了開關(guān)速度和降低了損耗。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **產(chǎn)品型號**: MDD1752RH-VB
- **封裝類型**: TO252
- **配置**: 單 N 溝道
- **最大漏源電壓 (VDS)**: 40V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 2.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 6mΩ(VGS=4.5V)
 - 5mΩ(VGS=10V)
- **最大漏極電流 (ID)**: 85A
- **技術(shù)**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

MDD1752RH-VB MOSFET 適用于多種高功率和高效能應(yīng)用場景,以下是幾個典型應(yīng)用:

1. **電動汽車 (EV) 電池管理系統(tǒng)**: 在電動汽車的電池管理系統(tǒng)中,該 MOSFET 可用于控制大電流的充電和放電過程,確保電池的高效和安全運行。

2. **電源轉(zhuǎn)換器**: 在直流-直流電源轉(zhuǎn)換器中,MDD1752RH-VB 作為開關(guān)器件可以高效地進(jìn)行能量轉(zhuǎn)換,同時保持較低的功耗。

3. **工業(yè)電機(jī)驅(qū)動**: 由于其高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻,該 MOSFET 適用于工業(yè)電機(jī)驅(qū)動模塊,幫助實現(xiàn)快速開關(guān)和高效能操作。

4. **大功率 LED 驅(qū)動**: 該器件在 LED 驅(qū)動電路中能夠提供低熱損耗和高電流控制,確保 LED 燈具的穩(wěn)定和高亮度輸出。

5. **數(shù)據(jù)中心電源**: 在數(shù)據(jù)中心的大功率服務(wù)器和存儲設(shè)備中,MDD1752RH-VB 可用于管理電源的高效分配,提供穩(wěn)定和高效的電源控制。

通過其高效的開關(guān)速度和低損耗特性,MDD1752RH-VB 在多個應(yīng)用領(lǐng)域中提供了可靠的性能,適合各種需要高電流、高效率的場景。### MDD1752RH-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介

MDD1752RH-VB 是一款采用 TO252 封裝的高性能單 N 溝道 MOSFET,具有卓越的導(dǎo)通電阻和電流處理能力。該器件具有 40V 的最大漏源電壓 (VDS),并支持 ±20V 的柵源電壓 (VGS) 范圍,適用于廣泛的電源管理和高效開關(guān)應(yīng)用。其極低的導(dǎo)通電阻(VGS 為 4.5V 時為 6mΩ,VGS 為 10V 時為 5mΩ),保證了極低的功耗和高效能,同時可支持高達(dá) 85A 的最大漏極電流 (ID),使其非常適合大電流應(yīng)用。采用先進(jìn)的 Trench 技術(shù),進(jìn)一步提升了開關(guān)速度和降低了損耗。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **產(chǎn)品型號**: MDD1752RH-VB
- **封裝類型**: TO252
- **配置**: 單 N 溝道
- **最大漏源電壓 (VDS)**: 40V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 2.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 6mΩ(VGS=4.5V)
 - 5mΩ(VGS=10V)
- **最大漏極電流 (ID)**: 85A
- **技術(shù)**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

MDD1752RH-VB MOSFET 適用于多種高功率和高效能應(yīng)用場景,以下是幾個典型應(yīng)用:

1. **電動汽車 (EV) 電池管理系統(tǒng)**: 在電動汽車的電池管理系統(tǒng)中,該 MOSFET 可用于控制大電流的充電和放電過程,確保電池的高效和安全運行。

2. **電源轉(zhuǎn)換器**: 在直流-直流電源轉(zhuǎn)換器中,MDD1752RH-VB 作為開關(guān)器件可以高效地進(jìn)行能量轉(zhuǎn)換,同時保持較低的功耗。

3. **工業(yè)電機(jī)驅(qū)動**: 由于其高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻,該 MOSFET 適用于工業(yè)電機(jī)驅(qū)動模塊,幫助實現(xiàn)快速開關(guān)和高效能操作。

4. **大功率 LED 驅(qū)動**: 該器件在 LED 驅(qū)動電路中能夠提供低熱損耗和高電流控制,確保 LED 燈具的穩(wěn)定和高亮度輸出。

5. **數(shù)據(jù)中心電源**: 在數(shù)據(jù)中心的大功率服務(wù)器和存儲設(shè)備中,MDD1752RH-VB 可用于管理電源的高效分配,提供穩(wěn)定和高效的電源控制。

通過其高效的開關(guān)速度和低損耗特性,MDD1752RH-VB 在多個應(yīng)用領(lǐng)域中提供了可靠的性能,適合各種需要高電流、高效率的場景。

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