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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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MDD1904RH-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): MDD1904RH-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.8V
  • RDS(ON) 114mΩ@VGS=10V
  • ID 15A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介:MDD1904RH-VB

MDD1904RH-VB 是一款單N溝道MOSFET,采用TO252封裝,具備高效的開關(guān)特性和良好的熱性能。該器件的最大漏源電壓(VDS)為100V,適用于多種電源管理和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。柵極電壓(VGS)為±20V,柵閾值電壓(Vth)為1.8V,導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在VGS=10V時(shí)為114mΩ,最大漏極電流為15A。MDD1904RH-VB 采用Trench技術(shù),具有較低的導(dǎo)通電阻和高開關(guān)效率,廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開關(guān)和電池管理等領(lǐng)域。

### 詳細(xì)參數(shù)說明:

- **封裝類型**: TO252
- **配置**: 單N溝道
- **最大漏源電壓 (VDS)**: 100V
- **柵極電壓 (VGS)**: ±20V
- **柵閾值電壓 (Vth)**: 1.8V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 114mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 15A
- **技術(shù)**: 溝槽(Trench)

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊舉例:

1. **開關(guān)電源**:
  - MDD1904RH-VB 在開關(guān)電源(SMPS)中廣泛使用,適用于各種電源轉(zhuǎn)換器,如AC-DC、DC-DC和DC-AC變換器,以實(shí)現(xiàn)高效率的電能轉(zhuǎn)換,減少能量損耗。

2. **電池管理系統(tǒng)**:
  - 該MOSFET 可用于電池管理系統(tǒng)中的充電和放電控制,特別是在電動(dòng)車、UPS和便攜式電子設(shè)備中,幫助實(shí)現(xiàn)高效的電池能量管理和保護(hù)功能。

3. **負(fù)載開關(guān)**:
  - MDD1904RH-VB 可以作為負(fù)載開關(guān),在各種應(yīng)用中控制電流的開啟和關(guān)閉,例如在智能家電、照明系統(tǒng)和工業(yè)設(shè)備中,提供安全和高效的電源管理。

4. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**:
  - 在電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中,MDD1904RH-VB 能夠以其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻,提供穩(wěn)定的電流供應(yīng),適合用于電動(dòng)工具、風(fēng)扇和家用電器的驅(qū)動(dòng)電路。

5. **消費(fèi)電子**:
  - 該MOSFET 也廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子產(chǎn)品中,如手機(jī)、平板電腦和其他便攜設(shè)備的電源管理模塊,幫助實(shí)現(xiàn)小型化設(shè)計(jì)并提高整體能效。

MDD1904RH-VB 以其卓越的電氣特性和熱管理能力,為現(xiàn)代電子設(shè)備提供了高效、可靠的解決方案,是電源管理和高功率應(yīng)用中的理想選擇。

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