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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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ME60N03AS-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: ME60N03AS-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 20V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 0.5~1.5V
  • RDS(ON) 4.5mΩ@VGS=4.5V
  • ID 100A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### ME60N03AS-VB 產(chǎn)品簡介  

ME60N03AS-VB 是一款采用 TO-252 封裝的單 N 通道 MOSFET,專為高效能電力電子應(yīng)用設(shè)計。該器件的最大漏源電壓(VDS)為 20V,支持 ±20V 的柵源電壓(VGS),并能夠承載高達 100A 的漏電流。其閾值電壓(Vth)范圍在 0.5V 到 1.5V 之間,確保低電壓下即可實現(xiàn)快速開通。采用先進的 Trench 技術(shù),該 MOSFET 在 VGS 為 2.5V 和 4.5V 時的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))分別為 6mΩ 和 4.5mΩ,提供了卓越的開關(guān)性能和低損耗。

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### ME60N03AS-VB 詳細參數(shù)說明  

| **參數(shù)**                  | **說明**                       |
|-------------------------|-----------------------------|
| **封裝**                  | TO-252                        |
| **配置**                 | 單 N 通道                      |
| **最大漏源電壓 (VDS)**     | 20V                           |
| **柵源電壓 (VGS)**        | ±20V                          |
| **閾值電壓 (Vth)**        | 0.5V ~ 1.5V                   |
| **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**    | 6mΩ (VGS = 2.5V)              |
|                          | 4.5mΩ (VGS = 4.5V)            |
| **最大漏電流 (ID)**        | 100A                          |
| **技術(shù)**                  | Trench                        |

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### 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊  

ME60N03AS-VB 憑借其低導(dǎo)通電阻、高電流能力和優(yōu)良的開關(guān)性能,可廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:  

1. **電源管理與負載開關(guān)**  
  適用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和電源開關(guān)模塊,在大電流下提供穩(wěn)定的負載控制和高效率,廣泛應(yīng)用于服務(wù)器、通信基站和計算系統(tǒng)。  

2. **汽車電子系統(tǒng)**  
  在汽車電池管理系統(tǒng)(BMS)、電動助力轉(zhuǎn)向(EPS)以及車載電源管理模塊中,ME60N03AS-VB 的高電流承載能力和低損耗特性能夠提升系統(tǒng)效率和穩(wěn)定性。  

3. **電動工具和電動機控制**  
  該 MOSFET 非常適合用于電動工具和小型電動機驅(qū)動應(yīng)用,確保設(shè)備在大功率輸出時具備快速響應(yīng)和可靠運行的能力。  

4. **消費類電子和智能家居**  
  在智能家居設(shè)備、便攜式電子產(chǎn)品和家電的電源管理模塊中,ME60N03AS-VB 提供高效的電流控制,幫助設(shè)備減少功耗并提高電池續(xù)航時間。  

5. **太陽能和能源存儲系統(tǒng)**  
  ME60N03AS-VB 可作為太陽能逆變器中的開關(guān)元件,用于提升能源轉(zhuǎn)換效率,并在儲能系統(tǒng)中優(yōu)化電池充放電過程。  

ME60N03AS-VB 是一款適用于多種電力電子模塊的高性能 MOSFET,可幫助設(shè)計人員在高效能與低損耗之間實現(xiàn)最佳平衡。

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