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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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ME75N80CD-G-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): ME75N80CD-G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 80V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
  • ID 75A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、ME75N80CD-G-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介  
ME75N80CD-G-VB 是一款高性能的 **單 N-溝道 MOSFET**,采用 **TO252** 封裝,專為高電壓和大電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件的最大漏源電壓 (VDS) 為 **80V**,漏極電流 (ID) 可達(dá) **75A**,使其在要求高功率輸出的場(chǎng)合下表現(xiàn)卓越。ME75N80CD-G-VB 的閾值電壓 (Vth) 為 **3V**,并在 **VGS=10V** 時(shí)具有極低的導(dǎo)通電阻 **5mΩ**,顯著降低了能量損耗。該 MOSFET 采用 **Trench 技術(shù)**,為各種電子設(shè)備提供高效的開關(guān)性能,非常適合于電源管理和高功率應(yīng)用。

---

### 二、ME75N80CD-G-VB 詳細(xì)參數(shù)說明  

- **封裝類型**:TO252  
- **通道配置**:?jiǎn)?N-溝道 (Single-N-Channel)  
- **漏源電壓 (VDS)**:80V  
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V  
- **閾值電壓 (Vth)**:3V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:  
 - 5mΩ @ VGS=10V  
- **最大漏極電流 (ID)**:75A  
- **技術(shù)**:Trench 技術(shù)  
- **工作溫度范圍**:-55°C 到 +150°C  

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### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例  

1. **電源管理 (Power Management)**  
  ME75N80CD-G-VB 可廣泛應(yīng)用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電源適配器和電池管理系統(tǒng)中。其低導(dǎo)通電阻確保高效的電流傳輸,從而提高整體轉(zhuǎn)換效率和系統(tǒng)性能。

2. **電動(dòng)汽車 (Electric Vehicles)**  
  該 MOSFET 適合用于電動(dòng)汽車的動(dòng)力控制和電池管理系統(tǒng),為電機(jī)提供穩(wěn)定的開關(guān)控制和高電流支持,確保電動(dòng)汽車在行駛過程中的高效能。

3. **高效照明系統(tǒng) (Efficient Lighting Systems)**  
  ME75N80CD-G-VB 可以用于 LED 驅(qū)動(dòng)電路,提供快速開關(guān)和穩(wěn)定的電流控制,以支持高亮度和高能效的照明解決方案,適用于商業(yè)和住宅照明。

4. **工業(yè)控制 (Industrial Control)**  
  在工業(yè)自動(dòng)化系統(tǒng)中,該器件可以作為電機(jī)驅(qū)動(dòng)和負(fù)載控制的開關(guān)元件,確保在高負(fù)載和高頻應(yīng)用中表現(xiàn)穩(wěn)定,提高設(shè)備的運(yùn)行效率。

5. **音頻放大器 (Audio Amplifiers)**  
  ME75N80CD-G-VB 適用于音頻功率放大器中的開關(guān)應(yīng)用,能夠處理大電流信號(hào),提供出色的音頻質(zhì)量和低失真表現(xiàn)。

6. **家用電器 (Home Appliances)**  
  在各種家用電器中,該 MOSFET 可用于電源開關(guān)和控制電路,為電器提供高效、穩(wěn)定的電源管理,改善設(shè)備的整體性能和使用壽命。

ME75N80CD-G-VB 的優(yōu)異性能和廣泛適用性使其成為現(xiàn)代電子設(shè)備設(shè)計(jì)中不可或缺的重要元件,為不同領(lǐng)域的高效能和可靠性提供了有力保障。

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