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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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ME85N03-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: ME85N03-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 2mΩ@VGS=10V
  • ID 120A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、ME85N03-VB 產(chǎn)品簡介

ME85N03-VB 是一款高性能的 **N 溝道 MOSFET**,采用 **TO252 封裝**,專為需要低電壓和高電流的應(yīng)用設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品的漏極-源極電壓(VDS)額定值為 30V,柵極-源極電壓(VGS)范圍為 ±20V,能夠適應(yīng)多種電源管理和驅(qū)動電路。ME85N03-VB 的閾值電壓(Vth)為 1.7V,確保其在相對較低的柵極電壓下即可實(shí)現(xiàn)快速開關(guān)。其導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在 VGS=10V 時(shí)為 2mΩ,而在 VGS=4.5V 時(shí)為 3mΩ,支持高達(dá) 120A 的漏極電流(ID)。該 MOSFET 采用 **溝槽(Trench)技術(shù)**,具有極低的開關(guān)損耗和優(yōu)越的熱性能,是現(xiàn)代電力電子設(shè)計(jì)中的理想選擇。

---

### 二、ME85N03-VB 詳細(xì)參數(shù)說明

| **參數(shù)**                | **規(guī)格**                          | **說明**                                           |
|-------------------------|-----------------------------------|----------------------------------------------------|
| **封裝**                | TO252                             | 適合高功率應(yīng)用,便于散熱和安裝                    |
| **溝道配置**            | Single-N-Channel                  | 單一 N 溝道結(jié)構(gòu),適合多種開關(guān)和放大應(yīng)用            |
| **VDS (漏極-源極電壓)** | 30V                               | 中等電壓應(yīng)用的理想選擇                             |
| **VGS (柵極-源極電壓)** | ±20V                              | 廣泛的柵極驅(qū)動電壓范圍,適應(yīng)不同控制電路          |
| **Vth (閾值電壓)**      | 1.7V                              | 適中的閾值電壓,確保高效開關(guān)                      |
| **RDS(ON)@VGS=4.5V**    | 3mΩ                               | 低導(dǎo)通電阻,有助于減少開關(guān)損耗                    |
| **RDS(ON)@VGS=10V**     | 2mΩ                               | 極低的導(dǎo)通電阻,支持大電流應(yīng)用                    |
| **ID (漏極電流)**       | 120A                              | 高電流處理能力,適合多種電源管理和驅(qū)動電路        |
| **技術(shù)**                | Trench                            | 溝槽技術(shù)確保高效率和良好的熱性能                    |

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### 三、ME85N03-VB 的應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **電源管理系統(tǒng)**  
  - ME85N03-VB 在 **開關(guān)電源** 和 **DC-DC 轉(zhuǎn)換器** 中的應(yīng)用非常廣泛。其 30V 的漏極-源極電壓和高達(dá) 120A 的電流能力,使其成為高效電源管理的理想選擇,適合用于各種便攜式設(shè)備、家用電器和工業(yè)電源。

2. **電動汽車**  
  - 該 MOSFET 是 **電動汽車** 和 **混合動力汽車** 應(yīng)用中的關(guān)鍵組件,適用于電機(jī)控制和電池管理系統(tǒng)。ME85N03-VB 的高效開關(guān)性能能夠顯著提升電動汽車的動力系統(tǒng)效率,確保其在行駛過程中的穩(wěn)定性和可靠性。

3. **工業(yè)控制**  
  - 在 **工業(yè)自動化** 設(shè)備中,ME85N03-VB 可作為功率開關(guān),驅(qū)動各類傳感器和執(zhí)行器。其超低導(dǎo)通電阻和高電流能力提升了設(shè)備的響應(yīng)速度和能效,適應(yīng)多種工業(yè)環(huán)境。

4. **消費(fèi)電子**  
  - 該 MOSFET 可廣泛應(yīng)用于 **消費(fèi)電子** 產(chǎn)品,如 **電視、音響系統(tǒng)** 和 **計(jì)算機(jī)電源**。ME85N03-VB 的高性能特性使其在這些設(shè)備中實(shí)現(xiàn)高效能和低功耗,從而提高了整體性能和用戶體驗(yàn)。

5. **LED 驅(qū)動**  
  - ME85N03-VB 在 **LED 照明控制** 中的應(yīng)用同樣重要。作為開關(guān)元件,它能夠有效驅(qū)動 LED 燈,提供更高的亮度和更好的調(diào)光效果,且低功耗特性延長了 LED 的使用壽命。

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**總結(jié)**:ME85N03-VB 是一款高效能的 **N 溝道 MOSFET**,憑借其 2mΩ 的低導(dǎo)通電阻、120A 的高電流能力和 TO252 封裝,適用于 **電源管理、電動汽車、工業(yè)控制、消費(fèi)電子** 和 **LED 驅(qū)動** 等多個領(lǐng)域,展現(xiàn)出優(yōu)異的性能和廣泛的應(yīng)用潛力。

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