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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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MI65N03-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: MI65N03-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 7mΩ@VGS=10V
  • ID 70A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介

MI65N03-VB 是一款高性能單極 N-Channel MOSFET,采用 TO252 封裝,專為高效能和低功耗設(shè)計。其最大漏源電壓 (VDS) 為 30V,適用于多種低電壓應(yīng)用。MI65N03-VB 的柵源電壓范圍為 ±20V,確保在多種控制電壓條件下穩(wěn)定工作。該器件的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在 VGS 為 4.5V 和 10V 時分別為 9mΩ 和 7mΩ,表現(xiàn)出極低的導(dǎo)通損耗,有助于提升電源轉(zhuǎn)換效率。此外,MI65N03-VB 的最大漏電流 (ID) 為 70A,提供了卓越的電流承載能力。其采用先進的 Trench 技術(shù)制造,確保了高效的開關(guān)性能和良好的熱管理。

### 詳細參數(shù)說明

- **型號**:MI65N03-VB
- **封裝**:TO252
- **配置**:單極 N-Channel
- **VDS**:30V
- **VGS**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 9mΩ(當 VGS=4.5V 時)
 - 7mΩ(當 VGS=10V 時)
- **最大漏電流 (ID)**:70A
- **技術(shù)**:Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

MI65N03-VB 在多個領(lǐng)域和模塊中具有廣泛的應(yīng)用,以下是一些具體示例:

1. **電源轉(zhuǎn)換器**:
  - 該 MOSFET 可用于開關(guān)電源(SMPS)和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器,因其低導(dǎo)通電阻和高電流能力,有助于提升能量轉(zhuǎn)換效率,降低發(fā)熱量。

2. **電動汽車**:
  - 在電動汽車的驅(qū)動系統(tǒng)中,MI65N03-VB 可用作電機驅(qū)動控制,提供高效的電流控制和可靠的性能,優(yōu)化電動機的工作效率。

3. **LED驅(qū)動**:
  - 在 LED 照明設(shè)備中,MI65N03-VB 可以用作驅(qū)動開關(guān),確保 LED 的穩(wěn)定工作并提高能耗效率。

4. **工業(yè)自動化設(shè)備**:
  - 該器件適用于各類工業(yè)自動化設(shè)備中的電源管理,能夠有效控制電源開關(guān),確保設(shè)備的高效運行。

5. **家電產(chǎn)品**:
  - 在空調(diào)、冰箱等家電產(chǎn)品中,MI65N03-VB 可以用作功率開關(guān),優(yōu)化能耗表現(xiàn)并延長設(shè)備的使用壽命。

通過這些應(yīng)用,MI65N03-VB 顯示出在高效能和可靠性方面的優(yōu)勢,成為各種電氣設(shè)備和系統(tǒng)中的理想選擇。

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