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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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MLD2N06CLT4G-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: MLD2N06CLT4G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 73mΩ@VGS=10V
  • ID 18A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### MLD2N06CLT4G-VB 產(chǎn)品簡介

**MLD2N06CLT4G-VB** 是一款高性能的 N 溝道 MOSFET,采用 TO252 封裝,專為各種電源管理和開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計。其出色的 RDS(ON) 值確保了在高效能下的低導(dǎo)通損耗,使其適用于廣泛的電氣和電子設(shè)備。此 MOSFET 支持高達(dá) 60V 的漏極-源極電壓,具有極低的閾值電壓(Vth),使其在低電壓驅(qū)動條件下表現(xiàn)優(yōu)異,特別適合現(xiàn)代高效電源設(shè)計。

### MLD2N06CLT4G-VB 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型**: TO252
- **配置**: 單 N 溝道
- **漏極-源極電壓 (VDS)**: 60V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 
 - 85 mΩ @ VGS = 4.5V
 - 73 mΩ @ VGS = 10V
- **最大連續(xù)漏電流 (ID)**: 18A
- **技術(shù)類型**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **電源管理模塊**: MLD2N06CLT4G-VB 適用于電源供應(yīng)器和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器,可用于提高轉(zhuǎn)換效率和減少能耗。其低 RDS(ON) 特性使其能夠在高電流應(yīng)用中降低熱損失。

2. **電動機(jī)驅(qū)動**: 此 MOSFET 可用于電動機(jī)驅(qū)動電路,特別是在無刷直流電機(jī) (BLDC) 和步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動器中。其快速開關(guān)速度和高電流處理能力使其成為理想的選擇。

3. **LED 驅(qū)動電路**: 在 LED 照明應(yīng)用中,MLD2N06CLT4G-VB 可用于控制電流,從而提高 LED 的效率和使用壽命。

4. **汽車電子**: 在汽車電源管理和控制系統(tǒng)中,MLD2N06CLT4G-VB 能夠滿足對高效率和高可靠性的要求,適合用于電池管理系統(tǒng)和電動汽車充電器等。

5. **消費電子產(chǎn)品**: 此 MOSFET 可以用于各種消費電子設(shè)備,如手機(jī)充電器、平板電腦和筆記本電腦,確保在電源轉(zhuǎn)換和管理中實現(xiàn)高效能。

通過其出色的性能和廣泛的應(yīng)用適應(yīng)性,MLD2N06CLT4G-VB 成為現(xiàn)代電源管理解決方案的關(guān)鍵組件。

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