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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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MTD10N05ET4G-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: MTD10N05ET4G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 73mΩ@VGS=10V
  • ID 18A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### **MTD10N05ET4G-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介**

**MTD10N05ET4G-VB** 是一款高效的 **單 N 溝道 MOSFET**,采用 **TO252 封裝**,設(shè)計(jì)用于各種電源管理和開關(guān)應(yīng)用。該器件具有 **漏-源電壓 (VDS)** 可達(dá) **60V**,非常適合中高壓電路的需求。其 **柵-源電壓 (VGS)** 范圍為 **±20V**,使得在多種工作條件下均能正常運(yùn)行。MTD10N05ET4G-VB 的 **閾值電壓 (Vth)** 為 **1.7V**,確保在低柵壓下快速導(dǎo)通。該 MOSFET 在 **VGS = 4.5V** 時(shí)的 **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))** 為 **85mΩ**,在 **VGS = 10V** 時(shí)則為 **73mΩ**,具備極低的導(dǎo)通損耗,適合高效率電源應(yīng)用。其 **最大連續(xù)漏極電流 (ID)** 為 **18A**,能夠滿足大多數(shù)應(yīng)用的電流需求。采用 **Trench 技術(shù)**,MTD10N05ET4G-VB 在熱性能和開關(guān)特性上表現(xiàn)出色,是電源設(shè)計(jì)和電機(jī)驅(qū)動的理想選擇。

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### **MTD10N05ET4G-VB 詳細(xì)參數(shù)說明**

| **參數(shù)**                 | **值**                           | **說明**                                          |
|--------------------------|----------------------------------|---------------------------------------------------|
| **封裝**                 | TO252                            | 表面貼裝封裝,適合中高功率和高壓應(yīng)用。           |
| **配置**                 | 單 N 溝道                       | 適合用于高效開關(guān)和控制電路。                      |
| **VDS(漏-源電壓)**     | 60V                             | 能夠承受高電壓,滿足多種應(yīng)用需求。                |
| **VGS(柵-源電壓)**     | ±20V                            | 適用于廣泛的電壓范圍,提供良好的驅(qū)動能力。        |
| **Vth(閾值電壓)**      | 1.7V                            | 較低的閾值電壓,確保快速導(dǎo)通。                    |
| **RDS(ON) @ VGS = 4.5V** | 85mΩ                           | 低導(dǎo)通電阻,降低功耗和發(fā)熱。                      |
| **RDS(ON) @ VGS = 10V**  | 73mΩ                           | 更低的導(dǎo)通電阻,適合高效率應(yīng)用。                  |
| **ID(連續(xù)漏極電流)**   | 18A                             | 高電流能力,滿足電流負(fù)載需求。                    |
| **技術(shù)**                 | Trench                           | 低導(dǎo)通電阻與高效能,優(yōu)化熱管理性能。              |

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### **MTD10N05ET4G-VB 的應(yīng)用示例**

1. **電源管理系統(tǒng)**  
  MTD10N05ET4G-VB 常用于 **開關(guān)電源** 和 **DC-DC 轉(zhuǎn)換器** 中,能夠有效控制電源的輸入和輸出電流,確保系統(tǒng)穩(wěn)定運(yùn)行。其高效率的導(dǎo)通特性使得電源系統(tǒng)的能效得以提高,適合各種消費(fèi)電子產(chǎn)品和工業(yè)應(yīng)用。

2. **電機(jī)控制**  
  該 MOSFET 可用于 **直流電機(jī)驅(qū)動** 應(yīng)用,尤其適合無刷電機(jī)(BLDC)控制。通過其高電流能力和低導(dǎo)通電阻,能夠?qū)崿F(xiàn)平穩(wěn)的電機(jī)運(yùn)行,廣泛應(yīng)用于電動工具、家用電器和電動汽車等領(lǐng)域。

3. **LED 驅(qū)動電路**  
  在 **LED 照明控制系統(tǒng)** 中,MTD10N05ET4G-VB 可以作為高效開關(guān)元件,能夠有效調(diào)節(jié) LED 燈的亮度和功耗。其低導(dǎo)通電阻可降低電源損耗,提升照明系統(tǒng)的能效,適合室內(nèi)外照明和商業(yè)照明應(yīng)用。

4. **電池管理系統(tǒng)**  
  該器件可用于 **電池管理系統(tǒng) (BMS)**,在充電和放電過程中進(jìn)行精確控制,確保電池的安全性和延長使用壽命。適合電動汽車、可再生能源存儲系統(tǒng)和便攜式設(shè)備等高要求場合。

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**MTD10N05ET4G-VB** 以其卓越的性能和廣泛的適用性,在多個(gè)領(lǐng)域中顯示出強(qiáng)大的競爭力,是現(xiàn)代電源管理和控制電路的理想選擇。

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