### MTD10N10ELT4-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
MTD10N10ELT4-VB 是一款高性能單N通道功率 MOSFET，采用 **TO252 封裝**，專為高電壓和高電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件的漏極-源極電壓 (**VDS**) 可達(dá) **100V**，柵極-源極電壓 (**VGS**) 可達(dá) ±20V，確保其在嚴(yán)苛的工作環(huán)境中表現(xiàn)出色。其閾值電壓 (**Vth**) 為 **1.8V**，在適當(dāng)?shù)尿?qū)動(dòng)電壓下，能夠快速切換并保持低導(dǎo)通電阻 (**RDS(ON)**) 為 **114mΩ**（在 VGS 為 **10V** 時(shí)）。憑借其 **Trench 技術(shù)**，MTD10N10ELT4-VB 提供了優(yōu)秀的開(kāi)關(guān)性能和能量效率，廣泛應(yīng)用于各類電源和驅(qū)動(dòng)電路中。
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### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
| **參數(shù)** | **規(guī)格** |
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| **型號(hào)** | MTD10N10ELT4-VB |
| **封裝** | TO252 |
| **配置** | 單N通道 |
| **漏極-源極電壓 (VDS)** | 100V |
| **柵極-源極電壓 (VGS)** | ±20V |
| **閾值電壓 (Vth)** | 1.8V |
| **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))** | 114mΩ @ VGS=10V |
| **漏極電流 (ID)** | 15A |
| **技術(shù)** | Trench |
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### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例
**MTD10N10ELT4-VB** 在多個(gè)領(lǐng)域和模塊中表現(xiàn)優(yōu)異，具體示例如下：
1. **開(kāi)關(guān)電源 (SMPS)**
- 此 MOSFET 適用于開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)，能夠?qū)崿F(xiàn)高效的能量轉(zhuǎn)換和功率管理，減少電源的功耗，提升整體系統(tǒng)效率。
2. **電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)**
- 在電機(jī)控制應(yīng)用中，MTD10N10ELT4-VB 能夠高效驅(qū)動(dòng)各種電動(dòng)機(jī)，提供穩(wěn)定的電流輸出，滿足高功率應(yīng)用的需求，適合電動(dòng)工具和家電等領(lǐng)域。
3. **LED驅(qū)動(dòng)**
- 該器件適用于LED照明應(yīng)用，能夠穩(wěn)定控制LED的驅(qū)動(dòng)電流，確保亮度均勻并延長(zhǎng)LED的使用壽命，廣泛用于商業(yè)照明和室內(nèi)照明。
4. **電池管理系統(tǒng) (BMS)**
- 在電池管理系統(tǒng)中，MTD10N10ELT4-VB 能夠優(yōu)化電池的充放電過(guò)程，適用于電動(dòng)車(chē)和儲(chǔ)能系統(tǒng)，確保電池的安全性和高效能。
5. **消費(fèi)電子**
- 此 MOSFET 可用于筆記本電腦、平板電腦等消費(fèi)電子產(chǎn)品的電源管理模塊，提升能效并降低熱量產(chǎn)生，增強(qiáng)用戶體驗(yàn)。
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通過(guò)其卓越的性能和適用范圍，MTD10N10ELT4-VB 成為現(xiàn)代電子設(shè)計(jì)中不可或缺的組件，廣泛應(yīng)用于各類高效能的電源和驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中。