### 一、MTD10N10EL-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
MTD10N10EL-VB 是一款高性能的 **單 N 溝道 (Single N-Channel)** MOSFET，采用 **TO252 封裝**。該器件具備 **100V** 的漏源電壓 (VDS) 和 **±20V** 的柵源電壓 (VGS)，適用于多種電力管理與開關(guān)應(yīng)用。MTD10N10EL-VB 的導(dǎo)通電阻在 **VGS = 10V** 時(shí)為 **114mΩ**，支持高達(dá) **15A** 的漏極電流 (ID)。采用 **Trench 技術(shù)**，該 MOSFET 具有優(yōu)越的導(dǎo)電性能和低功耗特性，廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、開關(guān)電源和負(fù)載驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。
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### 二、MTD10N10EL-VB 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
| 參數(shù) | 規(guī)格 |
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| **封裝** | TO252 |
| **配置** | Single N-Channel |
| **漏源電壓 (VDS)** | 100 V |
| **柵源電壓 (VGS)** | ±20 V |
| **閾值電壓 (Vth)** | 1.8 V |
| **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))** | 114 mΩ @ VGS = 10 V |
| **漏極電流 (ID)** | 15 A |
| **技術(shù)** | Trench |
MTD10N10EL-VB 的設(shè)計(jì)確保其在高壓、高流的工作環(huán)境中具備高效性和穩(wěn)定性，適合現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì) MOSFET 的嚴(yán)格要求。
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### 三、應(yīng)用領(lǐng)域與模塊
1. **開關(guān)電源 (SMPS)**
MTD10N10EL-VB 可廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源中，作為高效的開關(guān)元件，提供可靠的電源轉(zhuǎn)換，特別適用于電壓穩(wěn)定性要求高的場(chǎng)合，如工業(yè)電源和電源適配器。
2. **電池管理系統(tǒng) (BMS)**
在電池管理系統(tǒng)中，該 MOSFET 可用于電池的充電與放電控制，確保電池在高效和安全的狀態(tài)下工作，適合電動(dòng)車、便攜式設(shè)備及儲(chǔ)能系統(tǒng)等應(yīng)用。
3. **電機(jī)控制**
MTD10N10EL-VB 也適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制系統(tǒng)，能夠驅(qū)動(dòng)直流電機(jī)和步進(jìn)電機(jī)，常用于機(jī)器人、家用電器及工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備，提供強(qiáng)勁的動(dòng)力輸出。
4. **LED 照明**
該器件在 LED 驅(qū)動(dòng)電路中表現(xiàn)優(yōu)異，能夠有效控制 LED 的電流，廣泛應(yīng)用于商用和家用的 LED 照明解決方案，提升照明效率。
5. **通信設(shè)備**
MTD10N10EL-VB 可用于各類通信設(shè)備的電源模塊，確保電源的穩(wěn)定傳輸，適用于無(wú)線通信設(shè)備、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備及數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)，提升系統(tǒng)整體性能。
通過(guò)其卓越的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域，MTD10N10EL-VB 為現(xiàn)代電子設(shè)計(jì)提供了強(qiáng)有力的支持，是電源管理與控制應(yīng)用中的重要組成部分。