--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO252
- 溝道 Single-P-Channel
- VDS -60V
- VGS 20(±V)
- Vth -1.7V
- RDS(ON) 61mΩ@VGS=10V
- ID -30A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介
**MTD2955ET4G-VB** 是一款高性能的 P 通道 MOSFET,封裝類型為 TO252,適用于各種低壓應(yīng)用。這款 MOSFET 采用了先進的 Trench 技術(shù),具備出色的導(dǎo)通電阻和低的柵源電壓驅(qū)動要求,適合在電源管理、開關(guān)電源、負載開關(guān)和高效能電路等多種應(yīng)用中使用。它的工作電壓范圍為-60V,使其能夠處理較高的負載電壓,同時支持高達-30A 的漏電流,使其在高電流應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。
### 詳細參數(shù)說明
- **型號**:MTD2955ET4G-VB
- **封裝**:TO252
- **配置**:單 P 通道
- **漏源電壓 (VDS)**:-60V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:-1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 72mΩ @ VGS = 4.5V
- 61mΩ @ VGS = 10V
- **漏電流 (ID)**:-30A
- **技術(shù)**:Trench
### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊
1. **電源管理**:
MTD2955ET4G-VB 可用于開關(guān)電源(SMPS)和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中,作為開關(guān)器件,提供高效的能量轉(zhuǎn)換與管理。它的低導(dǎo)通電阻和高耐壓特性能夠提高系統(tǒng)的效率,降低熱損耗。
2. **負載開關(guān)**:
該 MOSFET 適合用于負載開關(guān)應(yīng)用,能夠有效地控制設(shè)備的電源開關(guān),提供快速開關(guān)響應(yīng)和穩(wěn)定的電流輸出,廣泛應(yīng)用于便攜式設(shè)備和消費電子產(chǎn)品中。
3. **電動汽車**:
在電動汽車和混合動力汽車中,MTD2955ET4G-VB 可以用于電機驅(qū)動和充電管理系統(tǒng),處理高電流和高電壓,提高能量效率和系統(tǒng)性能。
4. **工業(yè)設(shè)備**:
該 MOSFET 在工業(yè)自動化和控制系統(tǒng)中也有應(yīng)用,作為電源開關(guān)控制負載,實現(xiàn)高效的電力控制,滿足各種工業(yè)設(shè)備的需求。
5. **LED 驅(qū)動**:
由于其良好的開關(guān)性能,該 MOSFET 也適合用于 LED 照明驅(qū)動電路中,能夠有效地控制 LED 的工作狀態(tài),實現(xiàn)更高效的照明解決方案。
MTD2955ET4G-VB 的出色性能和廣泛的適用領(lǐng)域使其成為現(xiàn)代電子設(shè)計中理想的選擇。
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