### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
NTD4808NT4G-VB是一款高效能的N溝道MOSFET，采用TO252封裝，專為高電流和低導(dǎo)通電阻應(yīng)用設(shè)計(jì)。該MOSFET采用先進(jìn)的Trench技術(shù)，能夠在高頻和高功率條件下提供卓越的性能，適合電源管理和開(kāi)關(guān)電源等多種應(yīng)用。
### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **配置**: 單個(gè)N溝道
- **最大漏源電壓 (VDS)**: 30V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 6mΩ（VGS=4.5V），5mΩ（VGS=10V）
- **最大漏電流 (ID)**: 80A
- **技術(shù)**: Trench技術(shù)
### 應(yīng)用領(lǐng)域
NTD4808NT4G-VB廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換器、DC-DC變換器和電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。在消費(fèi)電子（如智能手機(jī)和筆記本電腦）、汽車(chē)電子（如電池管理系統(tǒng)）和工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中，憑借其高導(dǎo)電性和出色的熱管理能力，能夠有效提高系統(tǒng)效率和穩(wěn)定性，滿足現(xiàn)代電氣應(yīng)用的需求。