--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO252
- 溝道 Single-P-Channel
- VDS -60V
- VGS 20(±V)
- Vth -1.7V
- RDS(ON) 61mΩ@VGS=10V
- ID -30A
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介
MTD2955T4G-VB 是一款單 P 溝道 MOSFET,采用 TO252 封裝,專為高性能電子應(yīng)用設(shè)計(jì)。該 MOSFET 的漏源電壓(VDS)為 -60V,柵源電壓(VGS)可達(dá) ±20V,閾值電壓(Vth)為 -1.7V。其導(dǎo)通電阻 RDS(ON) 在 VGS 為 4.5V 時(shí)為 72mΩ,而在 VGS 為 10V 時(shí)為 61mΩ,最大漏電流(ID)可達(dá)到 -30A。采用先進(jìn)的 Trench 技術(shù),MTD2955T4G-VB 提供了出色的開關(guān)性能和熱穩(wěn)定性,適合于高效能和高可靠性的電子設(shè)備。
### 詳細(xì)參數(shù)說明
- **型號(hào)**: MTD2955T4G-VB
- **封裝**: TO252
- **配置**: 單 P 溝道
- **VDS**: -60V(漏源電壓)
- **VGS**: ±20V(柵源電壓)
- **閾值電壓 (Vth)**: -1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 72mΩ @ VGS = 4.5V
- 61mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏電流 (ID)**: -30A
- **技術(shù)**: Trench
### 適用領(lǐng)域與模塊示例
1. **電源管理**:
MTD2955T4G-VB 適用于開關(guān)電源(SMPS)中的反向電流控制,提高電源效率并降低損耗,確保穩(wěn)定的電壓輸出。
2. **電機(jī)控制**:
在電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中,該 MOSFET 可用于 P 溝道電機(jī)控制器,提供高效的電流開關(guān)能力,適合直流電機(jī)和步進(jìn)電機(jī)的驅(qū)動(dòng)。
3. **LED 驅(qū)動(dòng)**:
MTD2955T4G-VB 可用于 LED 驅(qū)動(dòng)電路,尤其是在需要較高電流的場合,如大功率照明和汽車照明,能夠?qū)崿F(xiàn)低功耗和高效率的亮度調(diào)節(jié)。
4. **消費(fèi)電子**:
在移動(dòng)設(shè)備和便攜式電子產(chǎn)品中,該 MOSFET 可用于電池管理系統(tǒng),優(yōu)化充放電過程,延長設(shè)備續(xù)航時(shí)間,并提高安全性。
5. **充電器與適配器**:
MTD2955T4G-VB 適用于各種充電器和適配器,能夠處理高負(fù)載電流,提供高效的功率轉(zhuǎn)換和充電管理,滿足現(xiàn)代電子設(shè)備的需求。
憑借其卓越的性能和多功能性,MTD2955T4G-VB 成為現(xiàn)代電子設(shè)備中重要的組成部分,廣泛應(yīng)用于各類高效能電路中。
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