### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
**MTD2N20-VB**是一款高性能單N溝道MOSFET，采用TO252封裝，專為中等功率和高壓應(yīng)用設(shè)計(jì)。其最大漏源電壓（VDS）為200V，能夠承受相對(duì)高的電壓環(huán)境，適合用于多種電力電子設(shè)備。該器件的柵源電壓（VGS）范圍為±20V，確保靈活的驅(qū)動(dòng)能力。閾值電壓（Vth）為3V，意味著在較低的柵電壓下就能快速開(kāi)啟，提升了開(kāi)關(guān)響應(yīng)速度。其導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）為850mΩ，在10V的柵極電壓下表現(xiàn)良好，能有效降低導(dǎo)通損耗。最大漏極電流（ID）為5A，適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景。MTD2N20-VB采用Trench技術(shù)，具有優(yōu)越的開(kāi)關(guān)特性和熱性能，廣泛應(yīng)用于電源管理、開(kāi)關(guān)電源和其他高壓控制領(lǐng)域。
---
### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
| **參數(shù)** | **值** |
|-------------------------|------------------|
| **型號(hào)** | MTD2N20-VB |
| **封裝** | TO252 |
| **配置** | 單N溝道 |
| **漏源電壓（VDS）** | 200V |
| **柵源電壓（VGS）** | ±20V |
| **閾值電壓（Vth）** | 3V |
| **導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）** | 850mΩ @ VGS=10V |
| **漏極電流（ID）** | 5A |
| **技術(shù)** | Trench |
---
### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例
1. **開(kāi)關(guān)電源**
MTD2N20-VB適合用于開(kāi)關(guān)電源（SMPS）中，作為開(kāi)關(guān)元件能夠高效處理200V的高電壓和中等功率（最大漏極電流5A）。其較低的導(dǎo)通電阻有助于減少開(kāi)關(guān)損耗，提高整體轉(zhuǎn)換效率。
2. **電源管理系統(tǒng)**
在電源管理系統(tǒng)中，該MOSFET可用于電流控制和電壓調(diào)節(jié)。其靈活的柵極驅(qū)動(dòng)能力使其在高電壓應(yīng)用中表現(xiàn)出色，確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和高效性。
3. **電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)**
該器件適用于電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用，例如在電動(dòng)工具和家用電器中。MTD2N20-VB能夠在高壓環(huán)境下可靠控制電動(dòng)機(jī)的開(kāi)關(guān)狀態(tài)，提升驅(qū)動(dòng)效率和響應(yīng)速度。
4. **LED驅(qū)動(dòng)電路**
MTD2N20-VB也非常適合用于LED驅(qū)動(dòng)電路，尤其是在高功率照明應(yīng)用中。其低導(dǎo)通電阻可以有效降低能耗，并提高LED的驅(qū)動(dòng)性能和使用壽命。
5. **汽車電子應(yīng)用**
該MOSFET在汽車電子系統(tǒng)中也具有廣泛的應(yīng)用前景，如電池管理系統(tǒng)和高壓電氣設(shè)備。其高電壓承受能力使得在復(fù)雜的電氣環(huán)境中能夠穩(wěn)定工作，確保車輛的電氣系統(tǒng)安全可靠。
---
綜上所述，**MTD2N20-VB**是一款高性能的N溝道MOSFET，適合于開(kāi)關(guān)電源、電源管理系統(tǒng)、電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)、LED驅(qū)動(dòng)電路及汽車電子等多個(gè)領(lǐng)域。其卓越的電氣特性和可靠性使其成為高電壓應(yīng)用的理想選擇。