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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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MTD4P06T4G-VB一款TO252封裝P-Channel場效應晶體管

型號: MTD4P06T4G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-P-Channel
  • VDS -60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth -1.7V
  • RDS(ON) 61mΩ@VGS=10V
  • ID -30A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### MTD4P06T4G-VB 產(chǎn)品簡介

**MTD4P06T4G-VB** 是一款高性能的單 P 溝道 MOSFET,采用 **TO252 封裝**,專為需要較高反向電壓的電源管理和開關(guān)應用設(shè)計。該器件的 **漏極-源極電壓 (VDS)** 為 **-60V**,適合于多種電源電路,特別是在負載開關(guān)和電源分配系統(tǒng)中。MTD4P06T4G-VB 具有最大 **-30A** 的連續(xù)漏電流 (ID),能夠有效地驅(qū)動大電流負載。在 **VGS=10V** 時,其導通電阻為 **61mΩ**,而在 **VGS=4.5V** 時為 **72mΩ**,確保在多種柵壓條件下都能實現(xiàn)優(yōu)秀的導通性能。該器件采用 **Trench 技術(shù)**,具有低導通損耗和快速開關(guān)特性,適合高頻應用。

---

### MTD4P06T4G-VB 詳細參數(shù)說明

- **封裝類型**: TO252  
- **配置**: 單 P 溝道  
- **漏極-源極電壓 (VDS)**: -60V  
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V  
- **閾值電壓 (Vth)**: -1.7V  
- **導通電阻 (RDS(ON))**:  
 - 72mΩ @ VGS = 4.5V  
 - 61mΩ @ VGS = 10V  
- **最大連續(xù)漏電流 (ID)**: -30A  
- **技術(shù)類型**: Trench  
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 150°C  

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### 應用領(lǐng)域和模塊示例

1. **負載開關(guān)**:MTD4P06T4G-VB 可作為負載開關(guān)元件,在需要高壓和大電流的場合中實現(xiàn)對負載的快速切換。適用于電池供電的便攜設(shè)備和消費電子產(chǎn)品中,提供高效的電源管理。

2. **電源管理**:在電源分配系統(tǒng)中,該 MOSFET 可以用作開關(guān)元件,控制不同電源的切換,實現(xiàn)能量的有效分配。尤其適合于需要節(jié)能的應用,如智能家居設(shè)備和電源適配器。

3. **電動機驅(qū)動**:MTD4P06T4G-VB 適合用于電動機控制電路,如直流電動機驅(qū)動,提供反向電流的處理能力,廣泛應用于家電、電動工具和機器人等領(lǐng)域。

4. **LED 驅(qū)動**:在 LED 驅(qū)動電路中,該 MOSFET 能夠提供對 LED 的精確控制,尤其適合用于調(diào)光和開關(guān) LED 照明系統(tǒng),確保高效能和延長使用壽命。

5. **音頻放大器**:在音頻放大器應用中,MTD4P06T4G-VB 可用于功率放大階段,提供可靠的電流驅(qū)動能力,確保音頻信號的清晰傳輸,非常適合高保真音頻設(shè)備。

綜上所述,MTD4P06T4G-VB 是一款性能優(yōu)越的 P 溝道 MOSFET,廣泛適用于多個領(lǐng)域,能有效提升電子設(shè)備的性能和可靠性。

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