### 產(chǎn)品簡介  

**MTD5P06ET4G-VB**是一款高性能的單P溝道MOSFET，采用TO252封裝，專為低電壓和高電流應(yīng)用而設(shè)計(jì)。其最大漏源電壓（VDS）為-60V，適合在負(fù)電壓環(huán)境下使用。該器件的柵源電壓（VGS）范圍為±20V，支持靈活的驅(qū)動需求。閾值電壓（Vth）為-1.7V，能夠在較低的柵電壓下實(shí)現(xiàn)快速導(dǎo)通。導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）為72mΩ（@ VGS=4.5V）和61mΩ（@ VGS=10V），確保了在高電流（最大漏極電流ID為-30A）條件下的高效導(dǎo)電性能。MTD5P06ET4G-VB采用Trench技術(shù)，具有優(yōu)越的開關(guān)特性，廣泛應(yīng)用于電源管理、電動機(jī)驅(qū)動及其他需要高效率和可靠性的領(lǐng)域。

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### 詳細(xì)參數(shù)說明  

| **參數(shù)**                | **值**             |
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| **型號**                | MTD5P06ET4G-VB    |
| **封裝**                | TO252             |
| **配置**                | 單P溝道           |
| **漏源電壓（VDS）**      | -60V              |
| **柵源電壓（VGS）**      | ±20V              |
| **閾值電壓（Vth）**      | -1.7V             |
| **導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）** | 72mΩ @ VGS=4.5V   |
| **導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）** | 61mΩ @ VGS=10V    |
| **漏極電流（ID）**       | -30A              |
| **技術(shù)**                | Trench            |

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### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例  

1. **電源管理**  
MTD5P06ET4G-VB在電源管理系統(tǒng)中具有重要作用，適用于電壓調(diào)節(jié)和電流控制電路。其能夠在高負(fù)電壓下可靠運(yùn)行，確保電源轉(zhuǎn)換的穩(wěn)定性和高效性，廣泛應(yīng)用于DC-DC轉(zhuǎn)換器和線性調(diào)節(jié)器等設(shè)計(jì)中。

2. **電動機(jī)驅(qū)動**  
在電動機(jī)控制應(yīng)用中，該MOSFET能夠高效驅(qū)動各種電動機(jī)，適合于電動工具、風(fēng)扇及其他需要精確控制的設(shè)備。其高導(dǎo)電能力和低導(dǎo)通損耗有助于提高電動機(jī)的性能和使用壽命。

3. **汽車電子**  
該器件可用于汽車電子產(chǎn)品，如電池管理系統(tǒng)和高電壓控制電路，確保在汽車環(huán)境中的可靠性。MTD5P06ET4G-VB的高電流承載能力使其適合于要求嚴(yán)格的汽車應(yīng)用。

4. **LED照明**  
MTD5P06ET4G-VB在LED驅(qū)動電路中也有廣泛應(yīng)用，尤其是在高功率LED照明系統(tǒng)中。其低導(dǎo)通電阻能夠有效降低能量損耗，提高LED照明的效率和可靠性。

5. **家電產(chǎn)品**  
在家用電器中，該MOSFET可用于高效能量管理，如智能家居設(shè)備和各種電動設(shè)備，確保在長時間運(yùn)行中的穩(wěn)定性和低功耗。

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綜上所述，**MTD5P06ET4G-VB**是一款高效的P溝道MOSFET，適用于電源管理、電動機(jī)驅(qū)動、汽車電子、LED照明及家電等多個領(lǐng)域。其優(yōu)越的電氣特性和可靠性使其成為負(fù)電壓應(yīng)用的理想選擇。