### 一、MTD60N02RT4G-VB 產(chǎn)品簡介
MTD60N02RT4G-VB 是一款高性能的 **單 N 溝道 (Single N-Channel)** MOSFET，采用 **TO252 封裝**，專為低電壓和高電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件具有 **30V** 的漏源電壓 (VDS) 和 **±20V** 的柵源電壓 (VGS)，其閾值電壓為 **1.7V**。在 **VGS = 10V** 時(shí)，該 MOSFET 的導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 僅為 **5mΩ**，在 **VGS = 4.5V** 時(shí)為 **6mΩ**，最大漏極電流 (ID) 為 **80A**。MTD60N02RT4G-VB 采用 **Trench 技術(shù)**，具備極低的導(dǎo)通電阻和高效的開關(guān)特性，非常適合用于電源管理和高功率應(yīng)用。
---
### 二、MTD60N02RT4G-VB 詳細(xì)參數(shù)說明
| 參數(shù) | 規(guī)格 |
|--------------------|--------------------------------|
| **封裝** | TO252 |
| **配置** | Single N-Channel |
| **漏源電壓 (VDS)** | 30 V |
| **柵源電壓 (VGS)** | ±20 V |
| **閾值電壓 (Vth)** | 1.7 V |
| **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))** | 6 mΩ @ VGS = 4.5 V |
| | 5 mΩ @ VGS = 10 V |
| **漏極電流 (ID)** | 80 A |
| **技術(shù)** | Trench |
MTD60N02RT4G-VB 以其低導(dǎo)通電阻和高電流能力，適合在各種高效能和低功耗應(yīng)用中使用，確保設(shè)備的可靠性和效率。
---
### 三、應(yīng)用領(lǐng)域與模塊
1. **電源管理系統(tǒng)**
MTD60N02RT4G-VB 在電源管理應(yīng)用中扮演關(guān)鍵角色，作為高效的開關(guān)器件，用于電源轉(zhuǎn)換和調(diào)節(jié)，以確保穩(wěn)定的電源輸出，適合用于各種消費(fèi)電子產(chǎn)品及工業(yè)設(shè)備中。
2. **開關(guān)電源 (SMPS)**
該 MOSFET 適合用于開關(guān)電源模塊，具備高效的開關(guān)速度和低能耗，能夠在高頻條件下有效運(yùn)行，廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)電源、充電器和LED驅(qū)動(dòng)器等。
3. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**
MTD60N02RT4G-VB 在電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中表現(xiàn)出色，能夠提供強(qiáng)大的電流輸出，適用于直流電機(jī)和步進(jìn)電機(jī)的控制，廣泛用于電動(dòng)工具、家用電器和自動(dòng)化設(shè)備中。
4. **LED 驅(qū)動(dòng)電路**
該 MOSFET 非常適合用于 LED 驅(qū)動(dòng)電路，通過高效控制電流，提升照明系統(tǒng)的整體效率，廣泛應(yīng)用于商業(yè)和家用 LED 照明解決方案。
5. **通信設(shè)備**
MTD60N02RT4G-VB 也可用于各種通信設(shè)備中的電源管理模塊，確保電源的穩(wěn)定性與高效性，適合無線通信設(shè)備、網(wǎng)絡(luò)交換機(jī)及其他數(shù)據(jù)傳輸設(shè)備。
通過其優(yōu)越的性能，MTD60N02RT4G-VB 成為現(xiàn)代電源管理與控制應(yīng)用中的理想選擇，為各類電子設(shè)備的高效運(yùn)行提供支持。