--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO252
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 100V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.8V
- RDS(ON) 114mΩ@VGS=10V
- ID 15A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### MTD6N10E-VB 產(chǎn)品簡介
**MTD6N10E-VB** 是一款高性能的單 N 溝道 MOSFET,采用 **TO252 封裝**,專為高壓電源管理和開關(guān)應用設計。其 **漏極-源極電壓 (VDS)** 高達 **100V**,使其能夠在要求較高電壓的電路中可靠工作。該器件的最大 **15A** 的連續(xù)漏電流 (ID) 確保了其能夠驅(qū)動大電流負載,適用于多種應用場合。在 **VGS=10V** 時,其導通電阻為 **114mΩ**,提供低導通損耗,優(yōu)化了整體系統(tǒng)效率。MTD6N10E-VB 采用 **Trench 技術(shù)**,使其在開關(guān)速度和導通特性上都表現(xiàn)出色,非常適合高頻應用。
---
### MTD6N10E-VB 詳細參數(shù)說明
- **封裝類型**: TO252
- **配置**: 單 N 溝道
- **漏極-源極電壓 (VDS)**: 100V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.8V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 114mΩ @ VGS = 10V
- **最大連續(xù)漏電流 (ID)**: 15A
- **技術(shù)類型**: Trench
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 150°C
---
### 應用領(lǐng)域和模塊示例
1. **電源管理**:MTD6N10E-VB 可用于各種電源管理電路,包括電源轉(zhuǎn)換器和開關(guān)電源,能夠處理高達 100V 的輸入電壓,適合用于工業(yè)設備和消費電子產(chǎn)品。
2. **電動機驅(qū)動**:在電動機控制應用中,該 MOSFET 能夠作為高效的開關(guān)元件,適用于直流電動機和步進電動機驅(qū)動電路,實現(xiàn)精確的速度和扭矩控制,廣泛應用于電動工具和家用電器中。
3. **LED 驅(qū)動**:MTD6N10E-VB 可以作為 LED 驅(qū)動電路的開關(guān)元件,適用于需要高電壓和高電流的 LED 照明系統(tǒng),確保高效的能量轉(zhuǎn)換和長壽命。
4. **通信設備**:該 MOSFET 適用于高頻通信設備中的功率放大和開關(guān)應用,如基站、路由器和其他無線設備,能夠有效提升設備的工作效率。
5. **汽車電子**:在汽車電子系統(tǒng)中,MTD6N10E-VB 可以用作電源管理和負載開關(guān),適合用于智能車載電源系統(tǒng)和安全設備,確??煽啃院托阅?。
綜上所述,MTD6N10E-VB 是一款高效能的 N 溝道 MOSFET,廣泛適用于電源管理、電動機驅(qū)動和 LED 驅(qū)動等多個領(lǐng)域,能夠顯著提升電子設備的性能和可靠性。
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