### N4468L-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
N4468L-VB 是一款高性能單 N 溝道 MOSFET，采用 TO252 封裝，專為需要高電流和低電壓操作的應(yīng)用而設(shè)計(jì)。其最大漏極源極電壓（VDS）為 30V，最大柵極源極電壓（VGS）為 ±20V，使其能夠在中等電壓環(huán)境下穩(wěn)定工作。N4468L-VB 的閾值電壓（Vth）為 1.7V，確保在較低的柵極驅(qū)動(dòng)電壓下迅速導(dǎo)通，提高了開關(guān)效率。該 MOSFET 采用 Trench 技術(shù)，具有極低的導(dǎo)通電阻（RDS(ON)），在 VGS=4.5V 時(shí)為 9mΩ，在 VGS=10V 時(shí)為 7mΩ，能夠有效減少功耗和發(fā)熱。這使得 N4468L-VB 特別適合需要高效率和小型化設(shè)計(jì)的各種電子設(shè)備。
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### 詳細(xì)參數(shù)說明
| **參數(shù)** | **說明** |
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| **型號(hào)** | N4468L-VB |
| **封裝** | TO252 |
| **配置** | 單 N 溝道 MOSFET |
| **最大漏極源極電壓 (VDS)** | 30V |
| **最大柵極源極電壓 (VGS)** | ±20V |
| **閾值電壓 (Vth)** | 1.7V |
| **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))** | 9mΩ @ VGS=4.5V
7mΩ @ VGS=10V |
| **最大漏極電流 (ID)** | 70A |
| **技術(shù)** | Trench |
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### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例
1. **電源管理**
N4468L-VB 非常適合用于電源管理電路，例如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和開關(guān)電源。其高效率和低導(dǎo)通電阻使其能夠在高負(fù)載條件下工作，有助于提高電源轉(zhuǎn)換效率，降低能耗，廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)和通信設(shè)備的電源模塊中。
2. **電池管理系統(tǒng)（BMS）**
該 MOSFET 可用于電池管理系統(tǒng)中的充放電控制。由于其較低的導(dǎo)通電阻，N4468L-VB 能夠在大電流下有效地減少熱損耗，確保電池的安全性和延長(zhǎng)使用壽命，適合用于電動(dòng)汽車和儲(chǔ)能系統(tǒng)。
3. **電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)**
在電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中，N4468L-VB 可用于控制小型直流電機(jī)。其快速導(dǎo)通特性和高電流承載能力使其能夠?qū)崿F(xiàn)更快的電動(dòng)機(jī)響應(yīng)，廣泛應(yīng)用于電動(dòng)工具和家用電器中。
4. **LED驅(qū)動(dòng)電路**
該 MOSFET 適用于 LED 驅(qū)動(dòng)電路，能夠提供穩(wěn)定的電流并減少能量損失。其高效率特性使其特別適合用于高亮度照明和調(diào)光系統(tǒng)中，確保 LED 的長(zhǎng)壽命和高效能。
5. **消費(fèi)電子產(chǎn)品**
N4468L-VB 在各種消費(fèi)電子產(chǎn)品中也得到了廣泛應(yīng)用，包括手機(jī)充電器、適配器和小型家電等。其小巧的 TO252 封裝和高性能特點(diǎn)，使其能夠滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)空間和能效的要求。
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N4468L-VB 以其出色的性能和可靠性，成為多種電子應(yīng)用中的關(guān)鍵組件，特別是在需要高效率和緊湊設(shè)計(jì)的場(chǎng)合中，為工程師提供了理想的解決方案。