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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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NCE0110K-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: NCE0110K-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.8V
  • RDS(ON) 114mΩ@VGS=10V
  • ID 15A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

以下是NCE0110K-VB MOSFET的詳細(xì)產(chǎn)品信息和應(yīng)用示例:

### 產(chǎn)品簡介
NCE0110K-VB是一款高性能單N通道MOSFET,采用TO252封裝,專為高效能應(yīng)用而設(shè)計。該MOSFET的額定漏極至源極電壓(VDS)為100V,能夠承受較高的電壓水平,適用于各種功率管理應(yīng)用。其閾值電壓(Vth)為1.8V,使得在低電壓下也能實現(xiàn)可靠的開關(guān)控制。NCE0110K-VB采用Trench技術(shù),具有低導(dǎo)通電阻(RDS(ON)為114mΩ@VGS=10V),能夠在較高電流(ID高達(dá)15A)下提供出色的性能,確保在各種工作條件下的高效率和穩(wěn)定性。

### 詳細(xì)參數(shù)說明
- **型號**: NCE0110K-VB
- **封裝**: TO252
- **配置**: 單N通道
- **額定漏極至源極電壓 (VDS)**: 100V
- **門極至源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.8V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 114mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏電流 (ID)**: 15A
- **技術(shù)**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例
NCE0110K-VB MOSFET適用于多個應(yīng)用領(lǐng)域,包括:

1. **開關(guān)電源**:由于其低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力,NCE0110K-VB在開關(guān)電源中可作為主開關(guān)元件,能夠提高電源轉(zhuǎn)換效率,減少功耗。

2. **電機驅(qū)動**:在直流電機和步進(jìn)電機驅(qū)動應(yīng)用中,NCE0110K-VB能夠提供快速的開關(guān)響應(yīng)和高效的電流控制,提升電機運行效率和系統(tǒng)可靠性。

3. **電池管理系統(tǒng)(BMS)**:在電池充電與放電管理中,該MOSFET能有效控制電流流動,確保電池在安全范圍內(nèi)工作,延長電池壽命。

4. **LED驅(qū)動電路**:由于其良好的開關(guān)特性和低功耗,NCE0110K-VB非常適合用于LED驅(qū)動電路,可以實現(xiàn)高效的亮度調(diào)節(jié)和電流穩(wěn)定。

5. **逆變器和變頻器**:NCE0110K-VB在逆變器和變頻器中用于電流控制和功率轉(zhuǎn)換,能夠支持可再生能源系統(tǒng)的高效運行,滿足現(xiàn)代電力電子的需求。

通過這些應(yīng)用領(lǐng)域的示例,可以看出NCE0110K-VB在電力電子系統(tǒng)中具有重要的應(yīng)用價值,能夠為各種現(xiàn)代化電子設(shè)備提供高效、可靠的電源解決方案。

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