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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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NCE0208KA-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管

型號: NCE0208KA-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 200V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 245mΩ@VGS=10V
  • ID 10A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

以下是NCE0208KA-VB N通道MOSFET的詳細產(chǎn)品信息和應用示例:

### 產(chǎn)品簡介
NCE0208KA-VB是一款高性能的單N通道MOSFET,采用TO252封裝,專為高電壓和中等電流應用設計。該MOSFET的最大漏極至源極電壓(VDS)為200V,適合在高壓環(huán)境下運行。其閾值電壓(Vth)為3V,確保在適當?shù)尿寗与妷合履軌蚩煽块_啟。NCE0208KA-VB的導通電阻(RDS(ON))在VGS=10V時為245mΩ,這使其在高電流(最大漏電流ID為10A)條件下依然能夠保持良好的能效表現(xiàn)。采用Trench技術,該MOSFET在開關性能和熱管理方面表現(xiàn)出色,適合用于各種電力電子應用。

### 詳細參數(shù)說明
- **型號**: NCE0208KA-VB
- **封裝**: TO252
- **配置**: 單N通道
- **額定漏極至源極電壓 (VDS)**: 200V
- **門極至源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
 - @ VGS = 10V: 245mΩ
- **最大漏電流 (ID)**: 10A
- **技術**: Trench

### 應用領域和模塊示例
NCE0208KA-VB MOSFET廣泛應用于以下領域和模塊:

1. **電源管理系統(tǒng)**:由于其高電壓和較低導通電阻,NCE0208KA-VB適合用于開關電源和DC-DC轉換器,能夠提升能效并減少發(fā)熱,適合在高功率應用中使用。

2. **電動汽車和混合動力汽車**:在電動汽車的電源管理系統(tǒng)中,該MOSFET用于控制電池的充放電,確保電力的高效傳輸和安全使用,尤其在高電壓條件下表現(xiàn)出色。

3. **電機驅動**:NCE0208KA-VB可以用于直流電機和步進電機的驅動控制,提供快速響應和高效能,廣泛應用于工業(yè)自動化、機器人技術和電動車輛的驅動系統(tǒng)中。

4. **逆變器**:在太陽能逆變器和其他功率轉換設備中,該MOSFET用于將直流電轉換為交流電,支持可再生能源系統(tǒng)的高效運行,能夠處理高功率需求。

5. **LED照明驅動**:由于其高效的開關特性和穩(wěn)定的電流控制,NCE0208KA-VB適用于LED驅動電路,實現(xiàn)高效的亮度調節(jié)和長壽命照明解決方案。

6. **電池管理系統(tǒng)(BMS)**:在電池管理電路中,該MOSFET能夠精確控制電流流動,確保電池的安全和高效工作,適用于各種電池組,延長其使用壽命。

通過以上應用示例,NCE0208KA-VB在現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中發(fā)揮著重要作用,滿足各種高效能和高可靠性的電源管理需求。

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