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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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NCE0224K-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): NCE0224K-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 200V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 55mΩ@VGS=10V
  • ID 30A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介:NCE0224K-VB MOSFET

NCE0224K-VB 是一款高性能的單N通道MOSFET,采用TO252封裝,專為高壓應(yīng)用設(shè)計(jì)。其最大漏極源電壓(VDS)為200V,適合各種工業(yè)和電源管理場(chǎng)合。該器件的柵源電壓(VGS)可達(dá)±20V,閾值電壓(Vth)為3V,確保在多種操作條件下的靈活性。NCE0224K-VB的導(dǎo)通電阻(RDS(ON)為55mΩ@VGS=10V),使其在高達(dá)30A的漏極電流(ID)下表現(xiàn)出良好的熱性能和能效。其Trench技術(shù)設(shè)計(jì)提供了低導(dǎo)通損耗和高可靠性,適合于高功率應(yīng)用。

---

### 詳細(xì)參數(shù)說明:

- **型號(hào)**:NCE0224K-VB  
- **封裝**:TO252  
- **配置**:?jiǎn)蜰通道  
- **最大漏極源電壓(VDS)**:200V  
- **柵源電壓(VGS)**:±20V  
- **閾值電壓(Vth)**:3V  
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:  
 - @VGS = 10V:55mΩ  
- **最大漏極電流(ID)**:30A  
- **技術(shù)**:Trench  

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### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **電源管理**:  
  NCE0224K-VB 在高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器中作為開關(guān)元件,提供高效的電能轉(zhuǎn)換,廣泛應(yīng)用于工業(yè)設(shè)備和電力電子模塊中。

2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)**:  
  該MOSFET可用于電動(dòng)機(jī)控制電路,尤其是在高壓和高功率要求的場(chǎng)合,確保電動(dòng)機(jī)的高效驅(qū)動(dòng)和可靠運(yùn)行。

3. **可再生能源系統(tǒng)**:  
  在太陽能逆變器和風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)中,NCE0224K-VB 可用于能量轉(zhuǎn)換與傳輸,提高可再生能源的使用效率。

4. **電池管理系統(tǒng)**:  
  用于電動(dòng)汽車或儲(chǔ)能設(shè)備的電池保護(hù)和管理,提供穩(wěn)定的開關(guān)控制,確保系統(tǒng)的安全性和可靠性。

5. **LED驅(qū)動(dòng)和照明系統(tǒng)**:  
  在高壓LED照明模塊中提供電流驅(qū)動(dòng),確保燈具的性能和壽命,適合商業(yè)和工業(yè)照明應(yīng)用。

NCE0224K-VB MOSFET

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