一、NCE30H15K-VB 產(chǎn)品簡介
NCE30H15K-VB 是一款高效能的 單 N-溝道 MOSFET，采用 TO252 封裝，專為要求高電流和低導(dǎo)通損耗的應(yīng)用設(shè)計(jì)。其 最大漏源電壓 (VDS) 為 30V，支持 ±20V 的柵源電壓 (VGS)，使其在各種電源管理應(yīng)用中具有良好的靈活性。開啟閾值電壓為 1.7V，在 VGS = 4.5V 時(shí)的導(dǎo)通電阻低至 3mΩ，而在 VGS = 10V 時(shí)進(jìn)一步降低至 2mΩ，顯著減少了導(dǎo)通損耗，提高了能效。此外，該 MOSFET 的最大漏極電流為 120A，采用 Trench 技術(shù)，使其在高速開關(guān)和大功率應(yīng)用中表現(xiàn)出色，非常適合于現(xiàn)代電子設(shè)備。

二、NCE30H15K-VB 詳細(xì)參數(shù)說明
參數(shù) 數(shù)值 說明
封裝類型 TO252 適合高功率密度的封裝
配置 單 N-溝道 MOSFET 提供單通道高效控制
漏源電壓 (VDS) 30V 最大漏極與源極之間的電壓差
柵源電壓 (VGS) ±20V 最大柵極與源極之間的電壓
開啟閾值電壓 (Vth) 1.7V MOSFET 開始導(dǎo)通所需的最小電壓
導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 3mΩ（@VGS = 4.5V） 降低導(dǎo)通損耗，提高效率
2mΩ（@VGS = 10V） 
最大漏極電流 (ID) 120A 最大持續(xù)電流
技術(shù) Trench 優(yōu)化設(shè)計(jì)以降低開關(guān)損耗
三、適用領(lǐng)域和模塊
電源管理 (Power Management):
NCE30H15K-VB 特別適合用于 開關(guān)電源 (SMPS) 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器，其低導(dǎo)通電阻有助于提高電源轉(zhuǎn)換效率，減少能量損耗，提升整體性能。

電動(dòng)汽車 (Electric Vehicles):
該 MOSFET 可以應(yīng)用于 電動(dòng)汽車的電機(jī)控制系統(tǒng)，在高負(fù)載和高頻率環(huán)境下提供穩(wěn)定的性能，提升電動(dòng)汽車的能效和可靠性。

工業(yè)自動(dòng)化 (Industrial Automation):
NCE30H15K-VB 是 工業(yè)設(shè)備中的功率開關(guān) 的理想選擇，能夠控制電動(dòng)機(jī)和其他高功率負(fù)載，確保設(shè)備的高效運(yùn)行和長壽命。

消費(fèi)電子 (Consumer Electronics):
在 電腦電源、音響系統(tǒng) 和其他消費(fèi)類電子產(chǎn)品中，NCE30H15K-VB 能有效提供穩(wěn)定的電源，確保設(shè)備的高效能和穩(wěn)定性。

數(shù)據(jù)中心 (Data Centers):
該 MOSFET 適合用于 數(shù)據(jù)中心的電源管理，能夠在快速變化的負(fù)載條件下提供高效的電力供應(yīng)，優(yōu)化數(shù)據(jù)中心的能源使用。