### 一、NCE4028EK-VB 產(chǎn)品簡介  
NCE4028EK-VB 是一款高性能的 **單 N-溝道 MOSFET**，采用 **TO252 封裝**，專為高電流和低導通損耗的應用設計。其 **最大漏源電壓 (VDS)** 為 **40V**，支持 **±20V 的柵源電壓 (VGS)**，為用戶提供了良好的靈活性和可靠性。開啟閾值電壓為 **2.5V**，在 **VGS = 4.5V** 時的導通電阻僅為 **14mΩ**，而在 **VGS = 10V** 時進一步降低至 **12mΩ**，顯著減少了導通損耗，提高了能效。此外，NCE4028EK-VB 的最大漏極電流為 **55A**，采用 **Trench 技術**，使其在高頻開關和大功率應用中表現(xiàn)優(yōu)異，非常適合現(xiàn)代電子設備的需求。

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### 二、NCE4028EK-VB 詳細參數(shù)說明  

| **參數(shù)**               | **數(shù)值**                   | **說明**                          |
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| **封裝類型**           | TO252                      | 高功率密度的緊湊封裝            |
| **配置**               | 單 N-溝道 MOSFET           | 提供單通道的高效電源控制         |
| **漏源電壓 (VDS)**     | 40V                        | 最大漏極與源極之間的電壓差     |
| **柵源電壓 (VGS)**     | ±20V                       | 最大柵極與源極之間的電壓       |
| **開啟閾值電壓 (Vth)** | 2.5V                       | MOSFET 開始導通所需的最小電壓  |
| **導通電阻 (RDS(ON))** | 14mΩ（@VGS = 4.5V）         | 降低導通損耗，提高效率         |
|                        | 12mΩ（@VGS = 10V）          |                                  |
| **最大漏極電流 (ID)**  | 55A                        | 最大持續(xù)電流                   |
| **技術**               | Trench                     | 優(yōu)化設計以降低開關損耗         |

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### 三、適用領域和模塊  

1. **電源管理 (Power Management):**  
  NCE4028EK-VB 特別適合用于 **開關電源 (SMPS)** 和 **DC-DC 轉換器**，其低導通電阻能夠有效提高電源的轉換效率，減少能量損耗，提升整體性能。

2. **電動汽車 (Electric Vehicles):**  
  該 MOSFET 可以應用于 **電動汽車的電機控制系統(tǒng)**，在高負載和高頻率環(huán)境下提供穩(wěn)定的性能，有助于提升電動汽車的能效和可靠性。

3. **工業(yè)自動化 (Industrial Automation):**  
  NCE4028EK-VB 是 **工業(yè)設備中的功率開關** 的理想選擇，能夠控制電動機和其他高功率負載，確保設備的高效運行和長壽命。

4. **消費電子 (Consumer Electronics):**  
  在 **電腦電源、音響系統(tǒng)** 和其他消費類電子產(chǎn)品中，NCE4028EK-VB 能有效提供穩(wěn)定的電源，確保設備的高效能和穩(wěn)定性。

5. **數(shù)據(jù)中心 (Data Centers):**  
  該 MOSFET 適合用于 **數(shù)據(jù)中心的電源管理**，能夠在快速變化的負載條件下提供高效的電力供應，優(yōu)化數(shù)據(jù)中心的能源使用。

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NCE4028EK-VB 是一款高效能的 N-溝道 MOSFET，廣泛適用于多種現(xiàn)代電子應用領域。