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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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NCE5080CK-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): NCE5080CK-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 4.5mΩ@VGS=10V
  • ID 97A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
NCE5080CK-VB 是一款高性能的單N通道MOSFET,采用TO252封裝,專(zhuān)為高電壓和高電流應(yīng)用設(shè)計(jì),額定漏源電壓(VDS)為60V。憑借其低導(dǎo)通電阻和優(yōu)越的熱管理性能,該MOSFET非常適合用于要求高可靠性和高效率的電源管理解決方案。采用先進(jìn)的Trench技術(shù),NCE5080CK-VB在各種應(yīng)用中表現(xiàn)出色,是現(xiàn)代電子設(shè)計(jì)中的理想選擇。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **型號(hào)**: NCE5080CK-VB
- **封裝**: TO252
- **配置**: 單N通道
- **漏源電壓 (VDS)**: 60V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 12mΩ @ VGS = 4.5V
 - 4.5mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏電流 (ID)**: 97A
- **技術(shù)**: Trench

### 適用領(lǐng)域和模塊
NCE5080CK-VB廣泛應(yīng)用于多個(gè)領(lǐng)域,包括:

1. **電源管理**: 在DC-DC轉(zhuǎn)換器和開(kāi)關(guān)電源中,由于其低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力,能夠顯著降低能量損耗,提高系統(tǒng)效率。
2. **電動(dòng)機(jī)控制**: 適用于電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)電路,支持高達(dá)97A的漏電流,確保電動(dòng)機(jī)在負(fù)載條件下的穩(wěn)定性與性能。
3. **消費(fèi)電子**: 在智能手機(jī)、平板電腦和筆記本電腦的電源管理模塊中,提供高效的能量轉(zhuǎn)換,增強(qiáng)設(shè)備的續(xù)航能力。
4. **LED驅(qū)動(dòng)**: 用于LED照明系統(tǒng),能夠?qū)崿F(xiàn)高效的電流控制,延長(zhǎng)LED的使用壽命并提高亮度穩(wěn)定性。
5. **電池管理系統(tǒng)**: 適合用于電池充放電管理,提高電池的性能和安全性,確保其在高負(fù)載情況下的穩(wěn)定運(yùn)行。

憑借其卓越的性能和可靠性,NCE5080CK-VB是現(xiàn)代電子設(shè)計(jì)中不可或缺的重要元件。

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