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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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NCE60P12K-VB一款TO252封裝P-Channel場效應晶體管

型號: NCE60P12K-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-P-Channel
  • VDS -60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth -1.7V
  • RDS(ON) 61mΩ@VGS=10V
  • ID -30A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### NCE60P12K-VB 產(chǎn)品簡介

NCE60P12K-VB 是一款高效能的單P通道MOSFET,采用TO252封裝,旨在提供優(yōu)異的功率效率與性能。該器件的最大漏源電壓(VDS)為-60V,支持±20V的柵源電壓(VGS),適合多種電源管理和開關應用。NCE60P12K-VB 的閾值電壓(Vth)為-1.7V,確保在低電壓下即可實現(xiàn)高效開關。在柵電壓為4.5V時,其導通電阻(RDS(ON))為72mΩ,而在10V時則降至61mΩ,最大漏電流(ID)為-30A。該器件采用先進的Trench技術,具有良好的熱管理能力和開關性能,非常適合高功率和高電流的應用場景。

### 詳細參數(shù)說明

- **型號**: NCE60P12K-VB
- **封裝**: TO252
- **配置**: 單P通道
- **漏源電壓 (VDS)**: -60V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: -1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 
 - @ VGS = 4.5V: 72mΩ
 - @ VGS = 10V: 61mΩ
- **連續(xù)漏電流 (ID)**: -30A
- **最大功耗 (Ptot)**: 高功率應用適用
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 +150°C
- **技術**: Trench

### 適用領域與模塊

NCE60P12K-VB 在多個領域中展現(xiàn)出其卓越的性能,主要適用于以下應用場景:

1. **電源管理**: 由于其優(yōu)異的導通特性和低導通電阻,NCE60P12K-VB 常用于DC-DC轉換器和開關電源設計中。這使得它在電源適配器、充電器和高效能電源模塊中廣受歡迎。

2. **電動機驅動**: 該MOSFET 的高電流承載能力使其成為電動機驅動電路的理想選擇,廣泛應用于電動工具、家電和工業(yè)自動化設備的電機控制。

3. **LED照明驅動**: NCE60P12K-VB 適合用于LED驅動電路,確保電流穩(wěn)定,達到均勻的照明效果,特別適合高功率LED照明系統(tǒng)。

4. **電池管理系統(tǒng)**: 在電動汽車和可再生能源應用中,NCE60P12K-VB 可用于電池充放電管理,優(yōu)化電池使用效率,提升系統(tǒng)的安全性和可靠性。

5. **功率開關應用**: 該器件因其快速開關特性而適用于各種功率開關應用,包括通信設備和高頻電路,提供高效能和可靠性。

憑借其卓越的電氣特性,NCE60P12K-VB 是各種電源管理和開關應用的理想選擇。

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