--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO252
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 1000mΩ@VGS=10V
- ID 5A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
以下是 **NCE65R900K-VB** MOSFET 的產(chǎn)品簡介、詳細參數(shù)說明,以及應用領域和模塊示例。
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### 一、產(chǎn)品簡介
**NCE65R900K-VB** 是一款高耐壓的 **單N通道MOSFET**,采用 **TO252 封裝**,專為高電壓和高效能應用設計。該器件的 **漏源電壓(VDS)** 可達到 **650V**,最大漏電流(ID)為 **5A**,非常適合在各種工業(yè)和電源管理應用中使用。NCE65R900K-VB 的 **閾值電壓(Vth)** 為 **3.5V**,保證其在適當?shù)臇旁措妷合驴焖匍_啟。其在 **VGS=10V 時的導通電阻(RDS(ON))** 為 **1000mΩ**,有效減少了在高電流下的功耗。采用 **SJ_Multi-EPI** 技術,NCE65R900K-VB 提供了卓越的熱性能和可靠性,使其成為高電壓開關應用的理想選擇。
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### 二、詳細參數(shù)說明
- **型號**:NCE65R900K-VB
- **封裝**:TO252
- **配置**:單N通道
- **VDS (漏源電壓)**:650V
- **VGS (柵源電壓)**:±30V
- **Vth (閾值電壓)**:3.5V
- **RDS(ON) (導通電阻)**:
- 1000mΩ @ VGS = 10V
- **ID (最大漏電流)**:5A
- **技術**:SJ_Multi-EPI
- **封裝類型**:TO252,具有良好的散熱性能和空間適應性,適用于各種設計要求。
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### 三、應用領域和模塊示例
1. **高壓電源管理**
NCE65R900K-VB 非常適合用于 **高壓開關電源** 和 **DC-DC 轉(zhuǎn)換器**。其 **650V 的耐壓能力** 使其能夠安全地處理高壓輸入,提高了電源的效率和穩(wěn)定性,廣泛應用于工業(yè)電源、通信電源等場景。
2. **電機控制**
該 MOSFET 適用于 **電動機驅(qū)動器** 和 **伺服電機控制**。在高電壓和高電流應用中,NCE65R900K-VB 能夠提供可靠的開關性能,提升電機的效率和響應速度,常用于自動化設備和機器人技術。
3. **LED 驅(qū)動**
NCE65R900K-VB 也適用于 **LED 驅(qū)動電路**,尤其是在需要高電壓的應用中。其低導通電阻能夠有效減少能量損耗,從而提高LED照明系統(tǒng)的能效,適用于照明和顯示器應用。
4. **光伏逆變器**
在 **太陽能逆變器** 中,NCE65R900K-VB 可以作為高壓開關的重要組成部分,將光伏發(fā)電產(chǎn)生的直流電轉(zhuǎn)換為交流電,保證系統(tǒng)的穩(wěn)定性和高效能。
5. **電力設備與開關設備**
該器件適合用于 **電力控制設備**,如高壓開關和繼電器驅(qū)動。NCE65R900K-VB 能夠在高壓切換時保持穩(wěn)定性和安全性,適用于電力分配和電力管理系統(tǒng)。
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### 總結(jié)
**NCE65R900K-VB** 是一款高性能 **650V N通道MOSFET**,具有 **TO252 封裝** 和 **SJ_Multi-EPI** 技術,確保其在各種高功率和高電壓應用中的可靠性和穩(wěn)定性。適用于 **電源管理、電機控制、LED 驅(qū)動、光伏逆變器** 等領域,滿足現(xiàn)代電子設備對高性能、高效率的需求。該器件的設計不僅能降低能量損耗,還能在嚴苛環(huán)境中保持卓越的性能,是高壓電子應用的理想選擇。
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