--- 產品參數 ---
- Package TO252
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 700V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 2400mΩ@VGS=10V
- ID 2A
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 一、NCE70T2K2K-VB 產品簡介
NCE70T2K2K-VB 是一款**單 N 溝道功率 MOSFET**,采用**TO-252 封裝**,專為高電壓應用而設計。該器件的**漏源電壓 (V_DS)** 高達 **700V**,適合在高壓環(huán)境中使用。柵源電壓 (V_GS) 最大可達±30V,使其能夠滿足多種控制電路的要求。該 MOSFET 的門檻電壓 (V_th) 為3.5V,在 V_GS=10V 時具有 **2400mΩ** 的導通電阻 (R_DS(ON)),最大漏極電流 (I_D) 為 **2A**。NCE70T2K2K-VB 采用**超級結 (Super Junction, SJ) 多層 EPI 技術**,旨在提高功率密度、降低開關損耗,并提供優(yōu)異的熱性能,非常適合用于電源轉換、電機控制以及可再生能源等領域。
---
### 二、NCE70T2K2K-VB 參數說明
| **參數** | **數值** | **說明** |
|------------------------|------------------------|-------------------------------|
| **封裝** | TO-252 | 提供緊湊的外形和良好的散熱性能 |
| **溝道類型** | 單 N 溝道 | 支持高效開關和功率傳輸 |
| **漏源電壓 (V_DS)** | 700V | 適合高電壓工作環(huán)境 |
| **柵源電壓 (V_GS)** | ±30V | 適應各種控制信號 |
| **開啟電壓 (V_th)** | 3.5V | 柵極開啟所需的門檻電壓 |
| **導通電阻 (R_DS(ON))**| 2400mΩ @ V_GS=10V | 在10V 驅動下的典型導通電阻 |
| **最大漏極電流 (I_D)** | 2A | 支持高電流傳輸 |
| **技術** | SJ_Multi-EPI | 提升電壓耐受和開關效率 |
---
### 三、應用領域與模塊示例
1. **電源轉換(開關電源與 DC-DC 轉換器)**
- NCE70T2K2K-VB 在**開關電源 (SMPS)** 中可用于 AC-DC 和 DC-DC 轉換應用,憑借其高電壓和適中的導通電阻,能夠有效降低能量損失,提高電源效率。
- 該 MOSFET 也適用于**低功率 DC-DC 轉換器**,在高電壓條件下提供可靠的電流傳輸。
2. **電機控制**
- 在**電動機驅動器**和**變頻器 (VFD)** 中,NCE70T2K2K-VB 可用于小型電機的控制,為電機提供高效的開關驅動,滿足多種工業(yè)和家用電器的需求。
3. **可再生能源(太陽能逆變器與風能應用)**
- 在**光伏 (PV) 逆變器**中,NCE70T2K2K-VB 能夠在高電壓環(huán)境下高效工作,支持太陽能發(fā)電系統(tǒng)的穩(wěn)定運行。
- 該 MOSFET 還可用于**風力發(fā)電系統(tǒng)**,提高電能轉換效率,實現(xiàn)持續(xù)穩(wěn)定的能量輸出。
4. **LED 照明系統(tǒng)**
- 在**LED 驅動電路**中,NCE70T2K2K-VB 可用于高功率 LED 照明解決方案,提供穩(wěn)定的電流輸出和有效的調光功能,適用于商業(yè)和工業(yè)照明。
---
NCE70T2K2K-VB 的高電壓耐受性和適中的導通電阻使其在電源管理、電機控制和可再生能源領域中成為可靠的選擇。其先進的超級結技術確保了在各種應用中的高效性能,滿足現(xiàn)代電子設備對高效能的需求。
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