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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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NDD60N745U1T4G-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: NDD60N745U1T4G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 700mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### NDD60N745U1T4G-VB 產(chǎn)品簡介

NDD60N745U1T4G-VB 是一款采用 **TO252 封裝**的高壓 N 通道 MOSFET,適用于需要高效率、高可靠性的應(yīng)用。該器件具備 **650V 的漏源電壓 (VDS)**,能夠處理大電壓環(huán)境中的電力轉(zhuǎn)換和開關(guān)任務(wù)。此外,其 **柵源電壓 (VGS)** 范圍為 ±30V,支持靈活的驅(qū)動設(shè)計。NDD60N745U1T4G-VB 使用 **Super-Junction (SJ) Multi-EPI 技術(shù)**,有效降低導通損耗,提升轉(zhuǎn)換效率。在 10V 柵源電壓下,該器件的 **RDS(ON)** 為 700mΩ,能夠支持 **7A 的最大電流**。這款 MOSFET 特別適用于工業(yè)設(shè)備、電源模塊和高壓控制系統(tǒng)等領(lǐng)域。

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### 詳細參數(shù)說明

- **產(chǎn)品型號**: NDD60N745U1T4G-VB  
- **封裝類型**: TO252  
- **配置**: Single-N-Channel  
- **漏源電壓 (VDS)**: 650V  
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V  
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V  
- **導通電阻 (RDS(ON))**:  
 - 700mΩ @ VGS = 10V  
- **最大漏極電流 (ID)**: 7A  
- **技術(shù)**: Super-Junction (SJ) Multi-EPI  

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### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **工業(yè)電源模塊**  
  - NDD60N745U1T4G-VB 非常適用于 **工業(yè)級電源模塊**,如 AC-DC 轉(zhuǎn)換器和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。其高壓耐受能力和較低的 RDS(ON) 確保在高電壓下實現(xiàn)高效的能量轉(zhuǎn)換,提升系統(tǒng)整體可靠性。

2. **電動汽車充電樁**  
  - 由于其 650V 的高耐壓能力,該 MOSFET 在 **電動汽車 (EV) 充電樁**中能用于高壓直流控制部分和電力轉(zhuǎn)換電路,確保穩(wěn)定運行并降低損耗。

3. **開關(guān)電源 (SMPS)**  
  - 這款 MOSFET 適合用于 **開關(guān)模式電源 (SMPS)**,如服務(wù)器電源、家用電器和照明電源,能夠提供高效的電源開關(guān)解決方案,提升系統(tǒng)的能源效率。

4. **光伏逆變器**  
  - 在 **光伏逆變器**中,NDD60N745U1T4G-VB 可以有效控制直流電壓與交流電之間的轉(zhuǎn)換,為太陽能系統(tǒng)提供穩(wěn)定的功率轉(zhuǎn)換和輸出。

5. **工業(yè)電機控制系統(tǒng)**  
  - 在工業(yè)自動化中,該 MOSFET 可用于 **電機驅(qū)動和控制系統(tǒng)**,尤其適用于需要高電壓、高電流切換的場景,如機器人控制和電梯系統(tǒng)。

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綜上所述,NDD60N745U1T4G-VB 憑借其 **高壓處理能力、SJ Multi-EPI 技術(shù)**的支持,以及 **高效的開關(guān)性能**,廣泛適用于 **工業(yè)設(shè)備、電源轉(zhuǎn)換、汽車充電、光伏系統(tǒng)和電機控制**等領(lǐng)域。其高性能和可靠性使其成為各類高壓應(yīng)用中的理想選擇。

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