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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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NID9N05ACLT4G-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號(hào): NID9N05ACLT4G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 73mΩ@VGS=10V
  • ID 18A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、NID9N05ACLT4G-VB 產(chǎn)品簡介  
NID9N05ACLT4G-VB 是一款高性能的 **單 N 溝道 MOSFET**,采用 **TO252 封裝**,專為中等功率應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件的最大漏源電壓 (VDS) 為 **60V**,允許在高電壓環(huán)境中穩(wěn)定工作。其柵源電壓 (VGS) 的極限值為 **±20V**,確保其在多種驅(qū)動(dòng)條件下的安全操作。開啟電壓 (Vth) 為 **1.7V**,使得該 MOSFET 能夠在較低的柵壓下快速開啟,適合用于低電壓驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。器件在 VGS = 4.5V 時(shí)的導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 為 **85mΩ**,在 VGS = 10V 時(shí)降低至 **73mΩ**,這使得該 MOSFET 在大電流應(yīng)用中具有優(yōu)良的效率和熱性能。采用 **Trench 技術(shù)**,進(jìn)一步提高了開關(guān)速度和降低了開關(guān)損耗,使其在電源管理和控制系統(tǒng)中具備廣泛的應(yīng)用潛力。

---

### 二、NID9N05ACLT4G-VB 詳細(xì)參數(shù)說明  
| **參數(shù)**               | **數(shù)值**                | **說明**                                  |
|-----------------------|------------------------|------------------------------------------|
| **封裝類型**           | TO252                  | 小型封裝,適合高密度電路設(shè)計(jì)。          |
| **MOSFET 配置**        | 單 N 溝道              | 提供高效的電流控制,適合多種應(yīng)用。      |
| **漏源電壓 (VDS)**    | 60V                    | 適合多種中等電壓系統(tǒng)中的開關(guān)應(yīng)用。      |
| **柵源電壓 (VGS)**    | ±20V                   | 廣泛的驅(qū)動(dòng)電壓范圍,滿足不同應(yīng)用需求。  |
| **開啟電壓 (Vth)**    | 1.7V                   | 適合低電壓驅(qū)動(dòng),快速響應(yīng)。              |
| **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))** | 85mΩ @ VGS=4.5V       | 降低功耗,提高系統(tǒng)效率。                 |
| **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))** | 73mΩ @ VGS=10V        | 支持高電流傳導(dǎo),適合大電流應(yīng)用。        |
| **漏極電流 (ID)**     | 18A                    | 支持較高的負(fù)載電流,滿足多種應(yīng)用需求。  |
| **技術(shù)類型**           | Trench                | 提高開關(guān)速度,降低開關(guān)損耗。            |

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### 三、應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例  

1. **電源管理與轉(zhuǎn)換**:  
  NID9N05ACLT4G-VB 特別適用于 **DC-DC 轉(zhuǎn)換器** 和 **電源開關(guān)** 模塊,能夠高效地控制電源的分配和切換。其低導(dǎo)通電阻確保了在高電流工作條件下的效率,適合用于各種電源適配器和電源管理系統(tǒng),保證了良好的性能和可靠性。

2. **電池管理系統(tǒng) (BMS)**:  
  該 MOSFET 在 **電池管理系統(tǒng)** 中可用于電池的開關(guān)和保護(hù)功能。由于其良好的熱性能和較低的開關(guān)損耗,能夠有效提升電池的充放電效率,適合應(yīng)用于電動(dòng)汽車、智能家居和便攜式電子設(shè)備。

3. **LED 驅(qū)動(dòng)電路**:  
  NID9N05ACLT4G-VB 也廣泛應(yīng)用于 **LED 驅(qū)動(dòng)電路**,用于控制 LED 的開關(guān)和調(diào)光。其較低的導(dǎo)通電阻和快速的開關(guān)特性使其能夠提供穩(wěn)定的驅(qū)動(dòng)電流,確保燈光的亮度調(diào)節(jié)準(zhǔn)確,適合各種照明應(yīng)用。

4. **電機(jī)控制與驅(qū)動(dòng)**:  
  該 MOSFET 可用于 **電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路**,如直流電機(jī)和步進(jìn)電機(jī)的驅(qū)動(dòng)模塊。其高電流處理能力和低開關(guān)損耗使其能夠高效驅(qū)動(dòng)電機(jī),提高系統(tǒng)的整體效率,廣泛應(yīng)用于工業(yè)自動(dòng)化和機(jī)器人系統(tǒng)中。

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NID9N05ACLT4G-VB 以其 60V 的電壓支持、良好的導(dǎo)通性能和高效的熱管理能力,成為各種電源管理應(yīng)用的理想選擇。在電源管理、電池管理、LED 驅(qū)動(dòng)和電機(jī)控制等領(lǐng)域,該 MOSFET 能夠顯著提升系統(tǒng)的效率和可靠性。

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