--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO252
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 60V
- VGS 20(±V)
- Vth 2.5V
- RDS(ON) 10mΩ@VGS=10V
- ID 58A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 一、NP36N055SHE-E1-AY-VB 產(chǎn)品簡介
NP36N055SHE-E1-AY-VB 是一款 **單 N 通道 MOSFET**,采用 **TO-252 封裝**,專為高電流和高效能應用設(shè)計。其 **漏源電壓 (VDS)** 可達 **60V**,支持 ±20V 的柵源電壓 (VGS),并具有較低的開啟電壓 (Vth) 為 **2.5V**。在 **VGS = 10V** 時,其導通電阻 (RDS(ON)) 低至 **10mΩ**,提供了極佳的導電性能。NP36N055SHE-E1-AY-VB 的 **最大漏極電流 (ID)** 可達 **58A**,使其在各種應用中表現(xiàn)出色,特別是在電源管理和電動設(shè)備中。該 MOSFET 使用 **Trench 技術(shù)**,優(yōu)化了開關(guān)速度和熱管理,為電子設(shè)計師提供了理想的解決方案。
---
### 二、NP36N055SHE-E1-AY-VB 詳細參數(shù)說明
| **參數(shù)** | **描述** | **值** |
|-------------------------|----------------------------------------|----------------------|
| **封裝** | TO-252 | 優(yōu)化散熱設(shè)計 |
| **配置** | 單 N 通道 MOSFET | 高效開關(guān)元件 |
| **漏源電壓 (VDS)** | 最大可承受電壓 | 60V |
| **柵源電壓 (VGS)** | 柵極耐受電壓 | ±20V |
| **開啟電壓 (Vth)** | 開啟電壓 | 2.5V |
| **導通電阻 (RDS(ON))** | @ VGS = 10V | 10mΩ |
| **導通電阻 (RDS(ON))** | @ VGS = 4.5V | 13mΩ |
| **最大漏極電流 (ID)** | 最大連續(xù)電流 | 58A |
| **技術(shù)** | Trench 技術(shù) | 高效低損耗設(shè)計 |
| **工作溫度范圍** | 工作溫度 | -55°C 至 175°C |
---
### 三、應用領(lǐng)域與模塊舉例
1. **電源管理系統(tǒng)**
NP36N055SHE-E1-AY-VB 在 **DC-DC 轉(zhuǎn)換器** 和 **電源適配器** 中的應用非常廣泛。其低導通電阻和高電流處理能力使其成為高效電源轉(zhuǎn)換的重要組成部分,能夠有效降低能量損耗,提高整體效率。
2. **電動汽車**
在 **電動汽車 (EV)** 中,該 MOSFET 可用于電池管理系統(tǒng)和電機控制器。其高電流承載能力確保能夠處理快速變化的負載要求,從而提高車輛的加速性能和續(xù)航里程。
3. **工業(yè)自動化設(shè)備**
NP36N055SHE-E1-AY-VB 可用于 **電動驅(qū)動和控制系統(tǒng)**,如電機驅(qū)動和伺服控制器。其快速開關(guān)能力和高負載能力使其適合在精密工業(yè)應用中實現(xiàn)高效和穩(wěn)定的性能。
4. **消費電子產(chǎn)品**
該 MOSFET 也被廣泛應用于 **便攜式設(shè)備** 和 **智能手機充電器** 中,能夠有效管理電源并提供穩(wěn)定的充電效率,提升用戶體驗。
5. **不間斷電源 (UPS)**
在 **UPS 系統(tǒng)** 中,NP36N055SHE-E1-AY-VB 可用于作為開關(guān)元件,以支持在市電中斷時的瞬時切換,保證系統(tǒng)的穩(wěn)定供電。
---
NP36N055SHE-E1-AY-VB 以其高效能、低損耗的特點,在電源管理、汽車、工業(yè)及消費電子等領(lǐng)域均表現(xiàn)出色,是電子工程師在高電流應用中非常理想的選擇。
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