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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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NP36N055SLE-E1-AY-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): NP36N055SLE-E1-AY-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 2.5V
  • RDS(ON) 10mΩ@VGS=10V
  • ID 58A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、NP36N055SLE-E1-AY-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介  
NP36N055SLE-E1-AY-VB 是一款 **Single N-Channel MOSFET**,采用 **TO252** 封裝,專為高效能電源應(yīng)用設(shè)計(jì)。其漏源極電壓 (VDS) 可達(dá) **60V**,并且支持高達(dá) **±20V** 的柵源極電壓 (VGS)。該器件的導(dǎo)通閾值電壓 (Vth) 為 **2.5V**,在 **VGS=4.5V** 時(shí),其導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 僅為 **13mΩ**,而在 **VGS=10V** 時(shí)更低,達(dá)到 **10mΩ**,這使其在高電流應(yīng)用中表現(xiàn)出色。最大漏極電流 (ID) 可達(dá) **58A**,適合需要大電流的電路設(shè)計(jì)。采用 **Trench** 技術(shù),NP36N055SLE-E1-AY-VB 能夠有效降低導(dǎo)通損耗,提高系統(tǒng)的整體效率,廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、工業(yè)控制和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等多個(gè)領(lǐng)域。

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### 二、NP36N055SLE-E1-AY-VB 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明  

| **參數(shù)名稱**           | **規(guī)格**                     | **說(shuō)明**                               |
|------------------------|------------------------------|----------------------------------------|
| **型號(hào)**                | NP36N055SLE-E1-AY-VB         |                                        |
| **封裝類型**            | TO252                        | 小型封裝,適合高密度電路設(shè)計(jì)          |
| **配置**                | Single N-Channel            | 單通道 N 溝道 MOSFET                  |
| **漏源極電壓 (VDS)**    | 60V                          | 可用于中高電壓電源                     |
| **柵源極電壓 (VGS)**    | ±20V                         | 支持較寬的柵極驅(qū)動(dòng)電壓范圍             |
| **導(dǎo)通閾值電壓 (Vth)**  | 2.5V                         | 柵極開(kāi)啟所需的最小電壓                 |
| **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**  | 13mΩ @ VGS=4.5V             | 在較低柵電壓下仍保持較低電阻           |
| **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**  | 10mΩ @ VGS=10V              | 在較高柵電壓下進(jìn)一步降低導(dǎo)通損耗       |
| **漏極電流 (ID)**       | 58A                          | 最大漏極電流,適用于高功率應(yīng)用        |
| **技術(shù)**                | Trench                       | 采用低損耗的 Trench 技術(shù)               |

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### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例  

1. **開(kāi)關(guān)電源 (SMPS)**  
  NP36N055SLE-E1-AY-VB 常用于 **開(kāi)關(guān)電源** 中,能夠有效降低導(dǎo)通損耗并提高電源效率,確保在高負(fù)載條件下提供穩(wěn)定的輸出電壓。

2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**  
  在 **電機(jī)控制** 應(yīng)用中,該 MOSFET 可作為 **H 橋電路** 中的開(kāi)關(guān)元件,能夠支持大電流,適用于各種電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng),如直流電機(jī)和步進(jìn)電機(jī)控制。

3. **電池管理系統(tǒng) (BMS)**  
  該器件能夠在 **鋰電池組的充放電管理** 中應(yīng)用,提供高效率的開(kāi)關(guān)功能,以確保電池的安全和性能,特別是在電動(dòng)汽車和便攜式設(shè)備中。

4. **電源模塊與電源轉(zhuǎn)換器**  
  NP36N055SLE-E1-AY-VB 可用于各種 **電源轉(zhuǎn)換器和電源管理模塊** 中,能夠在較小的空間內(nèi)處理高電流和高功率,滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品的需求。

5. **工業(yè)自動(dòng)化**  
  該 MOSFET 適合于 **工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備** 中的功率控制電路,例如電源驅(qū)動(dòng)和控制系統(tǒng),保證系統(tǒng)高效、穩(wěn)定運(yùn)行。

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NP36N055SLE-E1-AY-VB 的高電流承載能力、低導(dǎo)通電阻和高效率特性使其成為現(xiàn)代電源管理和電機(jī)控制應(yīng)用中的理想選擇。其 TO252 封裝不僅支持高密度布局,還有效提升了散熱性能。

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