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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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NP52N055SUG-E1-AY-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): NP52N055SUG-E1-AY-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 2.5V
  • RDS(ON) 10mΩ@VGS=10V
  • ID 58A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### NP52N055SUG-E1-AY-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

NP52N055SUG-E1-AY-VB是一款高性能單N通道MOSFET,采用TO252封裝,專為高壓和高電流應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該器件具備60V的最大漏源電壓,適合在各種嚴(yán)苛的電源管理和開(kāi)關(guān)電路中使用。其導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在不同柵極電壓下表現(xiàn)優(yōu)異,確保在高負(fù)載下的高效能運(yùn)作和熱管理。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào)**: NP52N055SUG-E1-AY-VB
- **封裝**: TO252
- **配置**: 單N通道
- **最大漏源電壓 (VDS)**: 60V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 2.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 13mΩ @ VGS=4.5V
 - 10mΩ @ VGS=10V
- **最大漏電流 (ID)**: 58A
- **技術(shù)**: Trench

### 適用領(lǐng)域和模塊示例

1. **開(kāi)關(guān)電源(SMPS)**: NP52N055SUG-E1-AY-VB廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)中,其低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力能夠有效降低能量損耗,提升整體系統(tǒng)效率。

2. **電動(dòng)汽車**: 該MOSFET適合在電動(dòng)汽車的電機(jī)控制和電池管理系統(tǒng)中使用,能夠應(yīng)對(duì)高功率轉(zhuǎn)換需求,提高能源利用效率,延長(zhǎng)電池壽命。

3. **消費(fèi)電子**: 在智能手機(jī)、平板電腦及其他便攜設(shè)備中,NP52N055SUG-E1-AY-VB可用于電源管理模塊,幫助優(yōu)化電池使用和提高設(shè)備性能。

4. **工業(yè)自動(dòng)化**: 該器件在工業(yè)控制系統(tǒng)中也有廣泛應(yīng)用,如馬達(dá)控制和負(fù)載驅(qū)動(dòng),提供可靠的開(kāi)關(guān)性能和高效能,滿足工業(yè)環(huán)境下的要求。

通過(guò)這些領(lǐng)域的應(yīng)用示例,可以看出NP52N055SUG-E1-AY-VB在現(xiàn)代電子設(shè)計(jì)中的重要性和廣泛性,是開(kāi)發(fā)高效電源管理方案的理想選擇。

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