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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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NTD12N10G-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: NTD12N10G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.8V
  • RDS(ON) 114mΩ@VGS=10V
  • ID 15A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介:NTD12N10G-VB

NTD12N10G-VB是一款高性能單N通道MOSFET,采用TO252封裝,專為中等電壓和電流應(yīng)用設(shè)計。其漏源電壓(VDS)可達(dá)100V,柵源電壓(VGS)為±20V,適合多種電力控制和開關(guān)應(yīng)用。該MOSFET的閾值電壓(Vth)為1.8V,具備良好的導(dǎo)通特性,其RDS(ON)在VGS=10V時為114mΩ,確保在電源管理和開關(guān)電路中實現(xiàn)合理的功耗。NTD12N10G-VB采用先進(jìn)的Trench技術(shù),能夠在多種應(yīng)用中提供高效能和可靠性。

### 詳細(xì)參數(shù)說明:

- **型號**:NTD12N10G-VB
- **封裝**:TO252
- **配置**:單N通道
- **VDS(漏源電壓)**:100V
- **VGS(柵源電壓)**:±20V
- **Vth(閾值電壓)**:1.8V
- **RDS(ON)**:
 - 114mΩ @ VGS=10V
- **ID(最大漏電流)**:15A
- **技術(shù)**:Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例:

1. **電源管理**:
  - NTD12N10G-VB適用于DC-DC轉(zhuǎn)換器和電源開關(guān)中,能夠高效處理功率轉(zhuǎn)換,適合用于電源模塊和適配器。

2. **電動工具**:
  - 該MOSFET可用于電動工具的電機(jī)控制電路,提供穩(wěn)定的電流輸出,確保工具在高負(fù)載情況下的可靠性。

3. **汽車電子**:
  - 在汽車應(yīng)用中,NTD12N10G-VB可用于照明控制、動力分配和電源管理模塊,提升系統(tǒng)的整體效能和安全性。

4. **家電**:
  - 該MOSFET適合家用電器中的開關(guān)電源和控制電路,幫助提高能效,降低待機(jī)功耗。

5. **工業(yè)控制**:
  - NTD12N10G-VB可應(yīng)用于工業(yè)設(shè)備中的驅(qū)動電路和負(fù)載控制,確保在苛刻條件下提供穩(wěn)定的性能。

通過這些應(yīng)用示例,NTD12N10G-VB展現(xiàn)了其在各類領(lǐng)域的廣泛適用性和高性能,滿足不同電壓和電流條件下的需求。

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