--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO252
- 溝道 Single-P-Channel
- VDS -30V
- VGS 20(±V)
- Vth -1.7V
- RDS(ON) 33mΩ@VGS=10V
- ID -38A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介
NTD25P03LRLG-VB是一款高效的P溝道MOSFET,采用TO252封裝,專為需要低導通電阻和高電流承載能力的應用而設計。其優(yōu)化的Trench技術(shù)使其在開關性能和熱管理方面表現(xiàn)卓越,適合各種電源管理和驅(qū)動應用。
### 詳細參數(shù)說明
- **配置**: 單個P溝道
- **最大漏源電壓 (VDS)**: -30V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: -1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 46mΩ(VGS=4.5V),33mΩ(VGS=10V)
- **最大漏電流 (ID)**: -38A
- **技術(shù)**: Trench技術(shù)
### 應用領域
NTD25P03LRLG-VB廣泛應用于電源開關、電動機控制和負載驅(qū)動等領域。在消費電子產(chǎn)品(如音頻設備和家電)、汽車電子和工業(yè)控制系統(tǒng)中,憑借其低損耗和高可靠性,有效提升了設備的整體性能和能效。
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