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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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NTD2955E-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): NTD2955E-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-P-Channel
  • VDS -60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth -1.7V
  • RDS(ON) 61mΩ@VGS=10V
  • ID -30A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介:NTD2955E-VB

NTD2955E-VB是一款高效能的P通道MOSFET,采用TO252封裝,設(shè)計(jì)用于負(fù)電壓應(yīng)用。其最大漏極-源電壓(VDS)為-60V,適合多種電源管理和開(kāi)關(guān)應(yīng)用。該MOSFET的閾值電壓(Vth)為-1.7V,確保其在較低的柵極電壓下迅速開(kāi)啟,提供良好的開(kāi)關(guān)性能。導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在VGS為4.5V時(shí)為72mΩ,在VGS為10V時(shí)為61mΩ,能夠支持最大持續(xù)漏極電流(ID)為-30A,適用于高電流負(fù)載。采用Trench技術(shù),該器件具有優(yōu)越的熱管理和電氣性能。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明:

- **型號(hào)**:NTD2955E-VB
- **封裝**:TO252
- **配置**:Single-P-Channel
- **最大漏極-源電壓 (VDS)**:-60V
- **柵極-源電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:-1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 72mΩ @ VGS=4.5V
 - 61mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**:-30A
- **技術(shù)**:Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例:

1. **電源管理**:
  NTD2955E-VB廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源和DC-DC轉(zhuǎn)換器中,能夠高效管理負(fù)電源,提升整體能效。

2. **電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)**:
  該MOSFET適合用于電動(dòng)機(jī)控制電路,支持高電流應(yīng)用,適用于電動(dòng)工具和工業(yè)設(shè)備的驅(qū)動(dòng)。

3. **負(fù)載開(kāi)關(guān)**:
  NTD2955E-VB可作為負(fù)載開(kāi)關(guān)元件,有效控制電路中的負(fù)載連接和斷開(kāi),適用于家電和照明控制系統(tǒng)。

4. **音頻放大器**:
  在音頻應(yīng)用中,該MOSFET能夠用于輸出級(jí)開(kāi)關(guān),提升音頻放大器的效率和性能。

5. **高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用**:
  由于其優(yōu)異的開(kāi)關(guān)特性,NTD2955E-VB適合在高頻電路中使用,能夠處理高頻信號(hào),廣泛應(yīng)用于通信設(shè)備和射頻放大器中。

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